Katalog Beschichtungsanlagen - Marquis
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Hochvakuumofen / Hochvakuum – Reinigungsanlage MA300G<br />
Zum Ausgasen Ihrer Substrate<br />
Die Hochvakuum - Reinigungsanlage dient zum Ausheizen bzw. Dekontaminieren von Substraten oder Kabel durch<br />
thermische Energie in einer Vakuumumgebung. Dies ist nötig beim Einbringen der Substrate / Kabel in einen<br />
Reinraum - Bereich sowie zur Vorbehandlung der Komponenten um vor der Baugruppenmontage eine Kontamination<br />
auszuschließen.<br />
Der Reinigungsvorgang erfolgt über einen vorherdefinierten Zeitraum bei einer festgelegten Temperatur vollautomatisch.<br />
Optional kann ein Massenspektrometer eingesetzt werden, damit eine Protokollierung des Reinigungsvorgangs erfolgen<br />
kann oder der Vorgang beim Erreichen einer bestimmten Kontaminationsrate beendet wird.<br />
Dabei sind Temperaturen von 300°C oder Vakuumumgebungen von 1x10 -10 mbar realisierbar.<br />
Technische Daten MA300G:<br />
Rezipient: Edelstahl 1.4301 Länge 300mm, Breite 300mm, Höhe 300mm Zugangstür Breite 300mm<br />
Vorvakuumpumpsystem: trockene Vorvakuumpumpe<br />
Hochvakuumpumpsystem: Turbomolekularpumpe, magnetgelagert<br />
Anlagensteuerung: <strong>Marquis</strong> für Hochvakuum - Reinigungsanlage<br />
Optional:<br />
Glimmeinheit um Substrate oder Kabel zu Plasmatieren<br />
Massenspektrometer Fabrikat Pfeiffer PrismaPlus PT M06 141 211 oder nach Ihrem Wunsch<br />
Gaseinlass um die Reinheit der Anlage zu erfassen<br />
Die Hochvakuum – Reinigungsanlage ist als Standard mit einem<br />
quadratischen Kessel außerdem noch mit folgenden Seitenlängen<br />
erhältlich:<br />
500mm<br />
750mm<br />
1000mm<br />
Gerne passen wir die Anlage ihrem Produkt an!<br />
Beispiel einer kundenspezifischen Hochvakuum - Reinigungsanlage.<br />
Technische Daten:<br />
Endvakuum nach 24 Stunden: < 1x10 -9 mbar<br />
(nach Ausheizen, 48h@140°C)<br />
Leckrate: < 1x10 –9 mbar*l/s<br />
Evakuierzeit bis 1x10 –5 mbar: < 10 Minuten<br />
Die endgültigen technischen Angaben der<br />
Anlage sind von der Ausführung abhängig.<br />
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Abbildung 4 Beispiel einer Hochvakuum-Reinigungsanlage<br />
Abbildung 5 Hochvakuum-Reinigungsanlage mit zwei Rezipienten<br />
mit der Möglichkeit die Substrate zwischen den beiden<br />
Rezipienten zu handeln
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