Katalog Beschichtungsanlagen - Marquis
Katalog Beschichtungsanlagen - Marquis Katalog Beschichtungsanlagen - Marquis
Hochvakuumbeschichtungsanlage MA1100 Die optimale Lösung für ein Höchstmaß an Kapazität Technische Daten: Rezipient Prozesssteuerung Vakuumpumpen Substrat Kalotten Substratheizung Rezipient Türöffnungsbreite 1120mm Rezipient Türöffnungshöhe 1110mm Volumen ca.900l Vorpumpe: Wälzkolbenpumpstand mit zweistufiger Drehschieberpumpe mit der Pumpleistung 430m³/h Hochvakuumpumpe Kryopumpe mit der Pumpleistung 10.000l/s Meissnerfalle mit Polycold – optional Kalotten Durchmesser 1000mm Kapazität bei Substraten mit Durchmesser 65mm 40Stück Kapazität bei Substraten mit Durchmesser 70mm 124Stück Kapazität bei Substraten mit Durchmesser 75mm 108Stück Planetenantrieb – optional Wendevorrichtung – optional Sechs Keramikheizer mit der Gesamtleistung von 15,6kW für Temperaturen bis 300°C Rückseitenheizung – optional Beschichtungsquellen Elektronenstrahlverdampfer 4 Tiegelausführung à 40cm³ mit Hochspannungsversorgung 5kW Elektronenstrahlverdampfer 4 Tiegelausführung à 60cm³ mit Hochspannungsversorgung 10kW - optional Thermischer Verdampfer – optional Plasmaquelle – optional Schichtdickenmessung Messkopf einfach in drehbarer Einzelhalterausführung Messkopf sechsfach – optional Optisches Monitoring - optional Photometer OMD-8000 VIS/NIR 200nm – 1100nm Anforderungen an den Aufstellungsort Wasserversorgung @ 20°C mindestens 80l/min Wasserdruck mindestens 5bar Druckluft mindestens 7bar Spannungsversorgung 3 x 400V Frequenz 50 / 60Hz Leistung 80kW Die endgültigen technischen Angaben der Anlage sind von der Ausführung abhängig. 9
Hochvakuumofen / Hochvakuum – Reinigungsanlage MA300G Zum Ausgasen Ihrer Substrate Die Hochvakuum - Reinigungsanlage dient zum Ausheizen bzw. Dekontaminieren von Substraten oder Kabel durch thermische Energie in einer Vakuumumgebung. Dies ist nötig beim Einbringen der Substrate / Kabel in einen Reinraum - Bereich sowie zur Vorbehandlung der Komponenten um vor der Baugruppenmontage eine Kontamination auszuschließen. Der Reinigungsvorgang erfolgt über einen vorherdefinierten Zeitraum bei einer festgelegten Temperatur vollautomatisch. Optional kann ein Massenspektrometer eingesetzt werden, damit eine Protokollierung des Reinigungsvorgangs erfolgen kann oder der Vorgang beim Erreichen einer bestimmten Kontaminationsrate beendet wird. Dabei sind Temperaturen von 300°C oder Vakuumumgebungen von 1x10 -10 mbar realisierbar. Technische Daten MA300G: Rezipient: Edelstahl 1.4301 Länge 300mm, Breite 300mm, Höhe 300mm Zugangstür Breite 300mm Vorvakuumpumpsystem: trockene Vorvakuumpumpe Hochvakuumpumpsystem: Turbomolekularpumpe, magnetgelagert Anlagensteuerung: Marquis für Hochvakuum - Reinigungsanlage Optional: Glimmeinheit um Substrate oder Kabel zu Plasmatieren Massenspektrometer Fabrikat Pfeiffer PrismaPlus PT M06 141 211 oder nach Ihrem Wunsch Gaseinlass um die Reinheit der Anlage zu erfassen Die Hochvakuum – Reinigungsanlage ist als Standard mit einem quadratischen Kessel außerdem noch mit folgenden Seitenlängen erhältlich: 500mm 750mm 1000mm Gerne passen wir die Anlage ihrem Produkt an! Beispiel einer kundenspezifischen Hochvakuum - Reinigungsanlage. Technische Daten: Endvakuum nach 24 Stunden: < 1x10 -9 mbar (nach Ausheizen, 48h@140°C) Leckrate: < 1x10 –9 mbar*l/s Evakuierzeit bis 1x10 –5 mbar: < 10 Minuten Die endgültigen technischen Angaben der Anlage sind von der Ausführung abhängig. 10 Abbildung 4 Beispiel einer Hochvakuum-Reinigungsanlage Abbildung 5 Hochvakuum-Reinigungsanlage mit zwei Rezipienten mit der Möglichkeit die Substrate zwischen den beiden Rezipienten zu handeln
- Seite 1: Vakuum- und Beschichtungstechnik In
- Seite 5 und 6: Welt der Beschichtung im Hoch- und
- Seite 7: Hochvakuumbeschichtungsanlage MAB76
- Seite 13 und 14: Retrofit Mit der Firma haben Sie de
- Seite 15 und 16: Steuerung präsentiert mit Ihrer Pr
- Seite 17: Gebrauchtmaschinen Durch unseren Ku
- Seite 20 und 21: Glimmsteuereinschub Beschreibung De
- Seite 22 und 23: Rückseitenheizung Beschreibung Zum
- Seite 24 und 25: Strahlablenkung Elektronenstrahl-Ve
- Seite 26 und 27: Shutter Beschreibung Pneumatischer
- Seite 28 und 29: Schichtdickencontroller Beschreibun
- Seite 30 und 31: Kalottensegmente Beschreibung Wir l
- Seite 32 und 33: Schubladenbaffle Beschreibung Der E
- Seite 35 und 36: Ansprechpartner Ralf Steigmajer Tel
Hochvakuumbeschichtungsanlage MA1100<br />
Die optimale Lösung für ein Höchstmaß an Kapazität<br />
Technische Daten:<br />
Rezipient<br />
Prozesssteuerung<br />
Vakuumpumpen<br />
Substrat Kalotten<br />
Substratheizung<br />
Rezipient Türöffnungsbreite 1120mm<br />
Rezipient Türöffnungshöhe 1110mm<br />
Volumen ca.900l<br />
Vorpumpe: Wälzkolbenpumpstand mit zweistufiger Drehschieberpumpe<br />
mit der Pumpleistung 430m³/h<br />
Hochvakuumpumpe Kryopumpe mit der Pumpleistung 10.000l/s<br />
Meissnerfalle mit Polycold – optional<br />
Kalotten Durchmesser 1000mm<br />
Kapazität bei Substraten mit Durchmesser 65mm 40Stück<br />
Kapazität bei Substraten mit Durchmesser 70mm 124Stück<br />
Kapazität bei Substraten mit Durchmesser 75mm 108Stück<br />
Planetenantrieb – optional<br />
Wendevorrichtung – optional<br />
Sechs Keramikheizer mit der Gesamtleistung von 15,6kW für Temperaturen bis 300°C<br />
Rückseitenheizung – optional<br />
Beschichtungsquellen<br />
Elektronenstrahlverdampfer 4 Tiegelausführung à 40cm³ mit Hochspannungsversorgung 5kW<br />
Elektronenstrahlverdampfer 4 Tiegelausführung à 60cm³<br />
mit Hochspannungsversorgung 10kW - optional<br />
Thermischer Verdampfer – optional<br />
Plasmaquelle – optional<br />
Schichtdickenmessung<br />
Messkopf einfach in drehbarer Einzelhalterausführung<br />
Messkopf sechsfach – optional<br />
Optisches Monitoring - optional<br />
Photometer OMD-8000 VIS/NIR 200nm – 1100nm<br />
Anforderungen an den Aufstellungsort<br />
Wasserversorgung @ 20°C mindestens 80l/min<br />
Wasserdruck mindestens 5bar<br />
Druckluft mindestens 7bar<br />
Spannungsversorgung 3 x 400V<br />
Frequenz 50 / 60Hz<br />
Leistung 80kW<br />
Die endgültigen technischen Angaben der Anlage sind von der Ausführung abhängig.<br />
9
Change language