EF 2014/2015

HF-Technik
Bild 3: gemessene und modellierte S-Parameter der SRD bei 25 °C. Links: Zero Bias, rechts: 80 mA (Marker - Messdaten, Linien - Modell)
sieht man die bei Raumtemperatur
aufgenommene Gleichstrom-Kennlinie
und die Kapazität
(gemessen bei 80,4 MHz)
über der Sperrspannung. Zu
Vergleichszwecken wurde auch
das Zeitbereichsverhalten, siehe
nächster Abschnitt, bei 4.5 mA,
7.5 mA und 16.2 mA bestimmt.
Die S-Parameter bei Zero Bias
und 80 mA sind in Bild 3 aufgeführt.
Bei 80 mA Strom beträgt
der on-state-Serienwiderstand
~0.4 Ohm (@0.5 GHz) bzw. 0.6
Ohm (@1 GHz). Man erkennt
leicht, dass das Modell das Verhalten
sehr gut wiedergibt.
Nichtlineare
Charakterisierung,
Zeitbereichs-
Charakteri sierung
Power-Sweep-Messungen der
Diode wurden in der 2-Port-
Shunt-Konfiguration (Bild 1,
oben rechts) durchgeführt.
Gemessen wurde die erste Harmonische
(Grundton) und die
85-ste Harmonische, dargestellt
in Bild 4 (links). Die 85ste Harmonische
wurde zufällig herausgepickt,
um die gute Übereinstimmung
von Messung und
Modellierung zu illustrieren.
Zu beachten ist, dass keine Filterung
in der Testfassung vorgenommen
wurde, im Gegensatz
zu realen Schaltungen, wo
man zur Verbesserung der Ausbeute
bei den gewünschten Frequenzen
Filter einsetzen würde.
Der 3-dB-Kompressionspunkt
für den Grundton liegt bei Pin
= 16 dBm, hier ist die Diode
im Durchlassbetrieb, siehe Bild
4 rechts.
Das (zeitliche) Recovery-Verhalten
der Diode unter verschiedenen
Arbeitspunkten ist in Bild
5 beschrieben. Die Diode wurde
mit 4,5 mA, 7,5 mA und 16,2
mA betrieben und jeweils mit
einem negativen Impuls von
0 auf -1,8 V bei t= 5 µs beaufschlagt
(Schaltbild in Bild 5).
Mit steigendem Vorstrom steigt
auch die Recovery-Zeit von ~7
ns auf 40 ns (gemessen bei 50%
Bild 4: Diodenverhalten in 2-Port-Shunt-Konfiguration, bei 80,4 MHz Eingangssignal, Zero-Bias und 25 °C. Links: Harmonische (erste
und 85ste) Ausgangspegel. Rechts: Diodenstrom. Rot: Simulation, Blau: Messung
HF-Einkaufsführer 2014/2015 17