Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN<br />
Kontaktflächen der Bottom- und Top-Elektroden gesetzt. Abbildung 5.17 zeigt das<br />
Crossbar-Array (rechts) und <strong>die</strong> I(U)-Kennlinie der elektrischen Messung (links), <strong>die</strong> an<br />
einem Eckpunkt des Arrays durchgeführt wurde.<br />
MSQ<br />
a)<br />
Top-Elektrode<br />
TiO 2<br />
Bottom-Elektrode<br />
Substrat<br />
MSQ<br />
Abbildung 5.16:<br />
Integration von TiO 2 in<br />
<strong>die</strong> Crossbar-<strong>Plattform</strong>.<br />
a) Crossbar-Array mit<br />
30 nm TiO 2 als<br />
funktionales Material und<br />
planarisierten Bottom-<br />
Elektroden.<br />
b) Querschnitt <strong>einer</strong> TiO 2<br />
Speicherzelle mit 30 nm<br />
hohen Pt-Bottom- und Pt-<br />
Top-Elektroden.<br />
b)<br />
Zuleitungen<br />
Bottom-Elektroden<br />
3E-4<br />
2E-4<br />
Strom [A]<br />
1E-4<br />
0E+0<br />
1<br />
3<br />
4<br />
-1E-4<br />
-2E-4<br />
2<br />
-6 -4 -2 0 2 4 6<br />
Spannung [V]<br />
Top-Elektroden<br />
Abbildung 5.17: I(U)-Kennlinie <strong>einer</strong> resistiven Speicherzelle mit schaltbarem TiO 2 (links),<br />
16 bit Crossbar-Array mit einem Half-Pitch von 500 nm (rechts) [106].<br />
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