Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN<br />
30 nm hergestellt werden. Allerdings bedurfte es dabei der Reduzierung der Lackdicke<br />
<strong>für</strong> <strong>die</strong> Nanoimprint-Lithographie, da bei Verwendung der standardisierten Lackdicke<br />
Ätzverluste <strong>die</strong> Herstellung kl<strong>einer</strong> Linienbreiten erschwerten (vgl. Kapitel 4.2.5). Eine<br />
Reduzierung der Lackdicke implizierte jedoch stets den Verlust großer Flächen während<br />
des Imprints (vgl. Kapitel 4.2.3). Im Fall der Crossbar-Strukturen bedeutete <strong>die</strong>s, dass<br />
<strong>die</strong> Zuleitungsperipherie und <strong>die</strong> Kontaktflächen nicht gleichzeitig mit den 30 nm<br />
Strukturen hergestellt werden konnten. Eine elektrische Charakterisierung <strong>die</strong>ser Single-<br />
Crosses war daher nicht möglich. Gleiches galt <strong>für</strong> Arrays mit einem Half-Pitch<br />
< 100 nm. Diese konnten im Zentrum defektfrei hergestellt werden (siehe<br />
Abbildung 5.10 c). Die elektrische Funktionsfähigkeit <strong>die</strong>ser war aufgrund teils<br />
unvollständiger Zuleitungen, nur bedingt vorhanden. Die Umgehung des Problems<br />
defektbehafteter Zuleitungen war u.a. <strong>die</strong> Realisierung der Kontaktperipherie durch<br />
andere Herstellungsverfahren (vgl. Kapitel 5.4).<br />
Die Funktionsfähigkeit der Arrays (mit einem Half-Pitch ≥ 100 nm) wurde anhand von<br />
Leitungswiderstandsmessungen überprüft. Dazu wurden 8 bit-Arrays mit Linienbreiten<br />
von 100 nm, 200 nm und 500 nm untersucht. In Abbildung 5.11 sind beispielhaft <strong>die</strong><br />
Messergebnisse verschiedener Strukturen dargestellt.<br />
Widerstand [kOhm]<br />
8<br />
7<br />
6<br />
5<br />
4<br />
3<br />
30 nm Elektrode<br />
15 nm Elektrode<br />
Widerstand [kOhm]<br />
4<br />
3<br />
2<br />
1<br />
Pt Bottom-Elektrode<br />
Ag/Pt Top-Elektrode<br />
2<br />
0 200 400 600<br />
Linienbreite [nm]<br />
0<br />
1 2 3 4 5 6 7 8<br />
Elektrode<br />
a)<br />
b)<br />
Abbildung 5.11: Leitungswiderstandmessungen: a) zweier unterschiedlich hohen Platin-<br />
Elektroden, b) eines Arrays mit 30 nm dicken Pt Bottom-Elektroden und 60 nm dicken<br />
Ag/Pt Top-Elektroden. Die Linienbreiten betrugen hierbei 200 nm. Die Messungen<br />
wurden an Arrays durchgeführt, bei denen funktionales bzw. isolierendes Material (TiO 2<br />
oder Methyl-Silsesquioxan) zwischen Bottom- und Top-Elektroden integriert wurde.<br />
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