Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN<br />
Arrays.<br />
Abbildung 5.10 zeigt anhand von Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen <strong>die</strong> Resultate<br />
hergestellter Crossbar Strukturen. Darin ist in Abbildung 5.10 a) zunächst ein Array mit<br />
einem Half-Pitch von 200 nm dargestellt. Anhand <strong>die</strong>ser Aufnahme verdeutlicht sich<br />
<strong>die</strong> Effizienz des Planarisierungsschrittes bei der Herstellung der Bottom-Elektroden.<br />
Die Top-Elektroden zeigen keinen Ansatz von Stufen oder ähnlichen Artefakten, <strong>die</strong><br />
durch eine unebene Bottom-Oberfläche entstehen würden (siehe Kapitel 5.5) [106].<br />
30 nm<br />
a)<br />
c)<br />
200 nm<br />
1000 nm<br />
500 nm<br />
b)<br />
Abbildung 5.10:<br />
Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen<br />
verschiedener Crossbar-Strukturen:<br />
a) Crossbar-Array mit 200 nm Half-<br />
Pitch und stufenlosen Top-Elektroden<br />
aufgrund des Planarisierungsschrittes,<br />
b) Teststrukturen von Einzel-Kreuzen an<br />
denen <strong>die</strong> Realisierbarkeit von 30 nm<br />
Strukturen gezeigt werden konnte,<br />
c) Crossbar-Array mit einem Half-Pitch<br />
von 50 nm, welches durch Verringerung<br />
der Lackdicke des Imprint-Prozesses<br />
hergestellt werden konnte<br />
Anhand von Teststrukturen unterschiedlicher Linienbreiten wurde <strong>die</strong> Auflösung,<br />
welche mit dem Herstellungsprozess realisiert werden konnte, demonstriert<br />
(Abbildung 5.10 b). Es konnten Linienbreiten und damit Single-Cross-Strukturen bis zu<br />
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