Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN<br />
transportiert werden, in welcher der Lithographie-Prozess stattfand.<br />
Für <strong>die</strong> Alignment-Prozedur wurde der strukturierte Substrat-Wafer auf einen Halter in<br />
<strong>einer</strong> Transferschublade des MA-6 gelegt, mittels Vakuumansaugung fixiert und in den<br />
Mask-Aligner geschoben. Zuvor wurde der Maskenhalter inklusive des Imprint-<br />
Stempels derart in <strong>die</strong> Anlage eingebaut, dass nun das Substrat und der Stempel<br />
übereinander positioniert waren. Zur Feinausrichtung wurde <strong>die</strong> Probe auf einen<br />
Abstand von 50 μm an den Stempel herangebracht (Abbildung 5.5). Durch den<br />
Alignment-Abstand wurde ein direkter Kontakt von Substrat und Wafer verhindert.<br />
y<br />
x<br />
Mikroskop<br />
Vakuum<br />
50 mm µm<br />
M S<br />
M W<br />
Probenhalter<br />
Maskenhalter<br />
Stempel<br />
Wafer<br />
Vakuum<br />
y<br />
x<br />
Abbildung 5.5: Aufbau des Mask-Aligners und Prinzipdarstellung der Alignment-Prozedur.<br />
Über ein Mikroskop, welches in X-Y-Richtung verfahren werden konnte, wurden <strong>die</strong><br />
Alignment-Marker des Stempels (M S ) als auch des Wafers (M W ) gesucht. Durch eine<br />
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