Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN<br />
Die initiale Höhe der Glasschicht auf den Bottom-Elektroden wurde mit 130 nm<br />
gemessen. Für <strong>die</strong> elektrische Verwendung wurden <strong>die</strong> Elektroden erneut freigelegt, um<br />
auf deren Oberfläche funktionales Material abscheiden zu können. Dazu wurde <strong>die</strong><br />
MSQ-Schicht gedünnt, bis <strong>die</strong> Elektrodenoberfläche zum Vorschein kam<br />
(Abbildung 5.3 c). Abbildung 5.4 zeigt beispielhaft das Resultat des Planarisierungsprozesses<br />
von 500 nm breiten Pt-Bottom-Elektroden anhand von Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen.<br />
a) b) c)<br />
Abbildung 5.3: Planarisierungsprozess, a) Pt-Bottom Elektroden auf dem Substrat, b) Einbetten<br />
der Elektroden mit Spin-On-Glas und gleichzeitiges Planarisieren der Waferoberfläche,<br />
c) Dünnen bzw. polieren der MSQ-Schicht in einem Ar-RIBE Prozess bis <strong>die</strong> Bottom-<br />
Elektroden freigelegt sind.<br />
MSQ<br />
Pt<br />
MSQ<br />
Pt<br />
500 nm<br />
500 nm<br />
a)<br />
b)<br />
Abbildung 5.4: Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen des Planarisierungsprozesses,<br />
a) Einbettung der Bottom-Elektroden in Spin-On-Glas (MSQ), b) Dünnen bzw. Polieren der<br />
Glasschicht bis auf <strong>die</strong> Elektroden.<br />
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