Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />
Strukturen in a) und b) ergeben sich durch schräge Lackkanten der Stirnseiten, <strong>die</strong> durch<br />
das Brechen der Probe entstehen. Profilometer-Messungen ergaben eine Strukturtiefe<br />
beider Stempel von ~ 100 nm.<br />
Der Unterschied beider Abdrücke und damit beider Herstellungsmethoden liegt in der<br />
Beschaffenheit der Gräben, also zwischen den hervorstehenden Linien. Bei Stempeln,<br />
<strong>die</strong> mit Ti hergestellt wurden, weisen <strong>die</strong> Gräben des Abdrucks eine wesentlich höhere<br />
Rauhigkeit auf. Ferner sind <strong>die</strong> Vertiefungen eher rundlich geformt und bilden keine<br />
abrupte Kante an der Seitenwand. Glaswafer, <strong>die</strong> mit Cr-Maske strukturiert wurden,<br />
hingegen bieten einen sehr glatten Grabenuntergrund (dunkle Bereiche in<br />
Abbildung 4.23 b) und steile Strukturflanken, woraus nahezu 90° Kanten resultieren.<br />
200 nm<br />
200 nm<br />
a)<br />
b)<br />
Abbildung 4.23: Abdrücke in UV-Lack zweier Stempel, welche mit unterschiedlichen<br />
Hartmasken hergestellt wurden: a) 20 nm Ti-Hartmaske, b) 20 nm Cr-Hartmaske.<br />
Die Gräben des Lackabdrucks entsprechen den Erhebungen des Stempels, welcher<br />
kopfüber in den Lack abgebildet wurde. Eine abgerundete Form entsteht durch das insitu<br />
entfernen der Ti-Maske im CF 4 -Plasma. Die Ti-Struktur wird in dem Ionenstrahl-<br />
Prozess stärker an den Rändern abgetragen, sodass <strong>die</strong> harte Kante in eine weiche,<br />
rundlichere Form übergeht, <strong>die</strong> zugleich in das Glassubstrat unterhalb der Maske<br />
übertragen wird. Bei der härteren Cr-Maske, welche erst nach der vollständigen<br />
Glasstrukturierung entfernt wird, werden <strong>die</strong> Probleme der Kantenabrundung<br />
vermieden.<br />
Zwar ist <strong>die</strong> resultierende Lackstruktur der Abbildung 4.23 a) kein zwingendes<br />
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