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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />

Strukturen in a) und b) ergeben sich durch schräge Lackkanten der Stirnseiten, <strong>die</strong> durch<br />

das Brechen der Probe entstehen. Profilometer-Messungen ergaben eine Strukturtiefe<br />

beider Stempel von ~ 100 nm.<br />

Der Unterschied beider Abdrücke und damit beider Herstellungsmethoden liegt in der<br />

Beschaffenheit der Gräben, also zwischen den hervorstehenden Linien. Bei Stempeln,<br />

<strong>die</strong> mit Ti hergestellt wurden, weisen <strong>die</strong> Gräben des Abdrucks eine wesentlich höhere<br />

Rauhigkeit auf. Ferner sind <strong>die</strong> Vertiefungen eher rundlich geformt und bilden keine<br />

abrupte Kante an der Seitenwand. Glaswafer, <strong>die</strong> mit Cr-Maske strukturiert wurden,<br />

hingegen bieten einen sehr glatten Grabenuntergrund (dunkle Bereiche in<br />

Abbildung 4.23 b) und steile Strukturflanken, woraus nahezu 90° Kanten resultieren.<br />

200 nm<br />

200 nm<br />

a)<br />

b)<br />

Abbildung 4.23: Abdrücke in UV-Lack zweier Stempel, welche mit unterschiedlichen<br />

Hartmasken hergestellt wurden: a) 20 nm Ti-Hartmaske, b) 20 nm Cr-Hartmaske.<br />

Die Gräben des Lackabdrucks entsprechen den Erhebungen des Stempels, welcher<br />

kopfüber in den Lack abgebildet wurde. Eine abgerundete Form entsteht durch das insitu<br />

entfernen der Ti-Maske im CF 4 -Plasma. Die Ti-Struktur wird in dem Ionenstrahl-<br />

Prozess stärker an den Rändern abgetragen, sodass <strong>die</strong> harte Kante in eine weiche,<br />

rundlichere Form übergeht, <strong>die</strong> zugleich in das Glassubstrat unterhalb der Maske<br />

übertragen wird. Bei der härteren Cr-Maske, welche erst nach der vollständigen<br />

Glasstrukturierung entfernt wird, werden <strong>die</strong> Probleme der Kantenabrundung<br />

vermieden.<br />

Zwar ist <strong>die</strong> resultierende Lackstruktur der Abbildung 4.23 a) kein zwingendes<br />

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