Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />
Abbildung 4.10:<br />
Kontaktwinkelmessung<br />
der silanisierten<br />
Stempeloberfläche.<br />
Um <strong>die</strong> Imprint-Stempel von Partikeln zu befreien, wurden <strong>die</strong>se vor und nach jedem<br />
Imprint-Prozess in Isopropanol gereinigt. Dabei wurde in dem Lösungsmittelbad ein<br />
reinraumtauglicher Q-Tipp behutsam über <strong>die</strong> Stempeloberfläche gezogen.<br />
Für den UV-Nanoimprint-Prozess zur Herstellung von Crossbar-Strukturen wurden<br />
transparente 100 mm SiO 2 -Wafer der Firma Crystec verwendet (Abbildung 4.11). Das<br />
Design der auf dem Stempel realisierten Crossbar-Strukturen wurde mit einem CAD-<br />
Programm erstellt. Abbildung 4.11 zeigt eine beispielhafte Elektroden-Struktur.<br />
Ausgehend von „großen“ Kontaktflächen (100 μm x 100 μm), <strong>die</strong> zur elektrischen<br />
Kontaktierung benötigt wurden, führen Leiterbahnen in das Zentrum der Struktur<br />
(Abbildung 4.12 links). Die Leiterbahnen werden dabei in ihrer Breite sukzessiv<br />
verringert, sodass schließlich im Zentrum Strukturen im Nanometerbereich entstehen<br />
(Abbildung 4.12 vergrößerter Bereich rechts). Die Länge der gesamten Elektrode<br />
beträgt ca. 5 mm, wohingegen im Zentrum <strong>die</strong> Leiterbahnenlängen von 10 bis 74 μm, je<br />
nach Design, variieren. Es wurden Elektroden unterschiedlicher Breite und Anzahl <strong>für</strong><br />
je einen Stempel entworfen [109]. Elektroden <strong>einer</strong> Breite von 30 nm bis 500 nm und<br />
<strong>einer</strong> Anzahl von 8 bit bis 64 bit waren unter anderem Gegenstand eines Crossbar-Array<br />
Designs (Tabelle 4.1). - Da Speicher hergestellt wurden, wird hier von „Bits“ anstelle<br />
von „Anzahl der Elektroden bzw. Kreuzungspunkte“ gesprochen.<br />
500 nm / 64 bit 200 nm / 64 bit 100 nm / 64 bit 50 nm / 64 bit 30 nm / 64 bit<br />
500 nm / 32 bit 200 nm / 32 bit 100 nm / 32 bit 50 nm / 32 bit 30 nm / 32 bit<br />
500 nm / 16 bit 200 nm / 16 bit 100 nm / 16 bit 50 nm / 16 bit 30 nm / 16 bit<br />
500 nm / 8 bit 200 nm / 8 bit 100 nm / 8 bit 50 nm / 8 bit 30 nm / 8 bit<br />
Tabelle 4.1: Übersicht der Elektrodenvariation und –kombination zur Herstellung<br />
verschiedener Crossbar-Array-Strukturen<br />
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