Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN
und die Stabilisierung des Plasmas werden üblicherweise bei höheren Leistungen
durchgeführt, als sie bei dem anschließenden Ätzprozess benötigt werden.
U B und U A bezeichnen die beiden elektrischen Spannungen, die an die beiden Gitter
relativ zum Massepotential angelegt werden. Abbildung 4.6 zeigt die Gitterandordnung
und den Potentialverlauf, dem die Ionen auf dem Weg von der Plasmaquelle bis zum
Wafer durch die beiden Gitter hindurch folgen.
Plasma
Fokusgitter - U B
Ar + Ar +
Wafer
Beam
Potential
Beschleunigungsgitter - U A
Accelerator
Potential
Abbildung 4.6: Gitteranordnung und Potentialverlauf des Ionenstrahl-Verfahrens.
U B ist eine positive Spannung, deren Wert ein wenig unterhalb des Plasmapotentials
liegt. Durch die Strahlspannung erhalten die Ionen die kinetische Komponente, um in
die Richtung der Probe, welche auf Nullpotential liegt, beschleunigt zu werden. U A ist
eine negative Spannung, die das Extrahieren der Ionen aus der Quelle unterstützt. Die
Differenz beider Spannungen U B - U A ergibt die vollständige Extraktionsspannung U ext
der Ionen aus der Quelle. Nicht zu verwechseln ist U ext jedoch mit der Spannung,
welche die kinetische Energie der auf dem Wafer eintreffenden Ionen und somit die
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