Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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Abkürzungs- und Symbolverzeichnis<br />
1T1R : Ein Transistor und ein Widerstand<br />
″ : Zoll<br />
A : Leiterquerschnitts-Fläche<br />
AFM : Atomic Force Microscopy<br />
BEOL : Back-End-Of-Line<br />
CAD : Computer Aided Design<br />
CAFM : Conductive Atomic Force Microscopy<br />
CMOS : Complemantary Metal Oxide Semiconductor<br />
DRAM : Dynamic Random Access Memory<br />
DUV : Deep Ultra Violet<br />
EMS : Elektrochemische Metallisierungs-Speicherzelle<br />
FeRAM : Ferroelectric Random Access Memory<br />
FIB : Focused Ion Beam<br />
FPGA : Field Programmable Gate Array<br />
FTIR : Fourier Transformations IR Spektroskopie<br />
HSQ : Hydrogen-Silsesquioxan<br />
I B<br />
: Beam Current (Ionenstrahl-Strom)<br />
IC : Integrated Circuit<br />
ITRS : International Technology Roadmap for Semiconductors<br />
k 1 : Technologie Konstante (0.5 – 0.9)<br />
l : Leitungslänge<br />
mbar : Millibar<br />
M c : Kritisches Molekulargewicht<br />
MIM : Metall Isolator Metall<br />
MRAM : Magnetic Random Access Memory<br />
MSQ : Methyl-Silsesquioxan (Spin-On Glass)<br />
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