Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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6.6 : I(U)-Kennlinie an <strong>einer</strong> Pt/MSQ/Pt-Zelle<br />
6.7 : Lateralstruktur bestehend aus zwei Ag-Elektroden, zwischen denen<br />
sich MSQ befindet<br />
6.8 : REM-Aufnahmen an Lateralstrukturen nach einem<br />
Formierungsprozess mit 20 V<br />
6.9 : FTIR-Analyse an Pt/MSQ-Schichten, <strong>die</strong> mit unterschiedlichen<br />
Temperaturen ausgeheizt wurden<br />
6.10 : Statistische Auswertung der Formierspannung, SET-Spannung,<br />
RESET-Spannung an 800°C-MSQ-Zellen<br />
6.11 : Retention-Messung an <strong>einer</strong> 100 nm x 100 nm Pt/MSQ/Ag-Zelle<br />
6.12 : Endurance-Messung an <strong>einer</strong> 100 nm x 100 nm Pt/MSQ/Ag-Zelle<br />
6.13 : Anzahl der Pulse, <strong>die</strong> <strong>für</strong> ein Schaltevent benötigt wurden<br />
6.14 : Schnelle Pulsmessungen mit 10 ns Pulsen<br />
6.15 : REM-Aufnahme <strong>einer</strong> Pt/MSQ/Ag-Wort-Struktur<br />
6.16 : Programmierung der Wortstruktur<br />
6.17 : Parasitärer Spannungspfad in einem 2 x 2 bit Array<br />
7.1 : Mehrlagen-Crossbar-Arrays<br />
7.2 : Zerstörung der Ag-Top-Elektrode durch Temperaturbehandlung<br />
7.3 : Resistives Schalten <strong>einer</strong> Ag-dotierten Pt/Ag-MSQ/Ag-Zelle<br />
7.4 : Herstellung von Pt/Ag-MSQ/Pt-Crossbar-Strukturen<br />
7.5 : Resistives Schalten in Pt/Ag-MSQ/Pt-Zellen<br />
7.6 : TOF-SIMS-Analyse an verschiedenen Pt/MSQ/Ag-Schichtstapeln<br />
7.7 : Resistives Schalten in 3D-Pt/Ag-MSQ/Pt-Crossbar-Strukturen<br />
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