Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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5.2 : Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen verschiedener<br />
Prozessfortschritte bei der Herstellung von Bottom-Elektroden<br />
5.3 : Planarisierungsprozess<br />
5.4 : Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen des Planarisierungsprozesses<br />
5.5 : Aufbau des Mask-Aligners und Prinzipdarstellung der Alignment-<br />
Prozedur<br />
5.6 : Alignment-Marker<br />
5.7 : Positionierte Alignment-Marker<br />
5.8 : Optische Mikroskopaufnahme der Alignment-Marker nach der<br />
Nanoimprint-Lithographie<br />
5.9 : Prozessablauf der Top-Elektroden<br />
5.10 : Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen verschiedener Crossbar-<br />
Strukturen<br />
5.11 : Leitungswiderstandmessungen<br />
5.12 : Herstellungsprozess alternativer Zuleitungen mittels optischer<br />
Lithographie und Lift-Off-Technik<br />
5.13 : REM-Aufnahme <strong>einer</strong> Bottom-Elektrode, deren Zuleitungsperipherie<br />
partiell in alternativer Herstellungsweise realisiert wurde<br />
5.14 : Widerstandsmessungen an Pt Bottom-Elektroden<br />
5.15 : Crossbar-Arrays ohne Planarisierung<br />
5.16 : Integration von TiO 2 in <strong>die</strong> Crossbar-<strong>Plattform</strong><br />
5.17 : I(U)-Kennlinie <strong>einer</strong> resistiven Speicherzelle mit schaltbarem TiO 2<br />
6.1 : Molekulare Struktur des MSQ<br />
6.2 : Herstellung von Crossbar-Strukturen mit integriertem MSQ<br />
6.3 : Einzelkreuzstruktur und I(U)-Kennlinien quasistatischer Messungen<br />
6.4 : Verlauf des ON-Widerstandes R ON in Abhängigkeit von der Zellgröße<br />
6.5 : Statistische Auswertung der Formierspannung, SET-Spannung,<br />
RESET-Spannung<br />
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