Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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Abbildungsverzeichnis<br />
2.1 : Gegenüberstellung des thermischen Imprints und des UV-Imprints<br />
2.2 : Auszug aus der ITRS-Roadmap<br />
2.3 : Prinzipdarstellung <strong>einer</strong> DRAM-Speichereinheit<br />
2.4 : Prinzipdarstellung <strong>einer</strong> Flash-Speichereinheit<br />
2.5 : Schreibschema eines PCRAM<br />
3.1 : Kondensatoraufbau <strong>einer</strong> resistiv schaltenden Zelle<br />
3.2 : Schaltverhalten von resistiven Materialien<br />
3.3 : Resistives Schalten in Metall-Oxiden<br />
3.4 : Resistives Schalten in Festkörper-Elektrolyten<br />
3.5 : Crossbar-Array-Architektur<br />
4.1 : Nanoimprint-Anlage NX2000<br />
4.2 : Funktionsdarstellung der Nanoimprint-Anlage NX2000<br />
4.3 : Vergleich zweier Ergebnisse, wie sie mit <strong>einer</strong> Parallelplatten-presse<br />
und <strong>einer</strong> Druckluftpresse auf einem 100 mm Wafer erzielt worden<br />
sind<br />
4.4 : Druck- und Temperaturverlauf während eines UV-Nanoimprint-<br />
Prozesses<br />
4.5 : Aufbau der Ionfab300plus<br />
4.6 : Gitteranordnung und Potentialverlauf des Ionenstrahlverfahrens<br />
4.7 : Herstellungsprozess der UV-Nanoimprint-Stempel<br />
4.8 : Chemischer Aufbau des Perfluorsilans<br />
4.9 : Silanisierungsprozess<br />
4.10 : Kontaktwinkelmessung der silanisierten Stempeloberfläche<br />
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