Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

7 DIE MEHRLAGEN-ARCHITEKTUR
10 nm dicke Ag-Schicht aufgedampft (Abbildung 7.4 b). In einem 450°C-
Temperaturprozess wurde dann die MSQ-Schicht mit Ag unter N 2 -Atmosphäre dotiert
(Abbildung 7.4 c). Anschließend wurde die Ag-Schicht in einem Ar-RIBE-Prozess
wieder entfernt (Abbildung 7.4 d) und 30 nm hohe Pt-Elektroden auf die Ag-dotierte
MSQ-Schicht aufgebracht (Abbildung 7.4 d). Die Strukturierung der Elektroden konnte
darin mittels Nanoimprint- oder optischer Lithographie durchgeführt werden.
Strom [μA]
110
90
70
50
30
10
-10
ON
0 0,5 1 1,5 2
Spannung [V]
Strom [μA]
700
600
500
400
300
200
100
0
-100
OFF
0 0,5 1 1,5 2
Spannung [V]
Strom [μA]
700
500
300
100
-100
-300
-500
-700
a)
OFF
ON
-2 -1 0 1 2
Spannung [V]
b)
Abbildung 7.5:
Resistives Schalten in Pt/Ag-MSQ/Pt-
Zellen.
a) SET mit positiver Spannungspolarität
und einer Strombegrenzung
von 100 µA,
b) RESET mit positiver Spannungspolarität
und keiner Strombegrenzung,
c) Unipolares Schalten mit sowohl
positiven als auch negativen
Spannungen.
c)
Für die elektrische Charakterisierung der Pt/Ag-MSQ/Pt-Crossbars wurden
quasistatische Messungen eingesetzt. Abbildung 7.5 zeigt beispielhafte I(U)-
Kennlinien, die an einer 3 x 3 µm 2 -Einzelkreuzstruktur aufgenommen wurden. Erhöht
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