Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

7 DIE MEHRLAGEN-ARCHITEKTUR
der Ausrichtung der einzelnen Lagen zueinander. Da die dritte und vierte Lage denen
der ersten und zweiten im Maskendesign entsprachen, lagen dementsprechend die
Alignment-Marker der zusätzlichen Schichten (drei und vier) über den bereits
vorhandenen (eins und zwei). Trotz erschwerter Bedingungen konnten jedoch auch hier
Genauigkeiten von < 1 μm während des Alignments erreicht werden. Um die Präzision
zu steigern, müssen zukünftig allerdings weitere Marker bzw. zusätzliche Masken
entworfen werden, sodass jede Lage eigene Alignment-Strukturen enthält.
3. 4.
5000 nm
1.
2.
2500 nm
a)
b)
Sub.
1.
2.
3.
4.
1000 nm
Abbildung 7.1:
Mehrlagen-Crossbar-Arrays:
a), b) 3 x 16 x 16 bit Architektur mit
vier Elektrodenebenen und Linienbreiten
von 200 nm. Die Leiterbahnen
bestehen aus 30 nm hohem Pt.
c) FIB-Schnitt in ein Array, wodurch die
einzelnen Metallebenen, welche
orthogonal angeordnete Elektroden
enthalten, deutlich erkennbar werden.
c)
Abbildung 7.1 c) zeigt vier Schnitte im Array, die mittels Focused Ion Beam (FIB)
durchgeführt wurden. Die Schnitte sind unterschiedlich tief, wodurch sowohl die
Elektroden verschiedener Lagen, welche orthogonal zueinander stehen, als auch das
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