Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

6 INTEGRATION VON METHYL-SILSESQUIOXAN
steigern den Strom i (Ionenstrom) des SET.
100
1500
Anzahl der Pulse
80
60
40
20
0
0,5 1 1,5 2
U SET-Puls [V]
a)
Anzahl der Pulse
1200
900
600
300
0
-0,6 -0,4 -0,2 0
U RESET-Puls [V]
b)
Abbildung 6.13: Anzahl der Pulse, die für ein Schaltevent benötigt wurden, in
Abhängigkeit der Pulsamplitude. a) 100 ms SET-Pulse und b) 100 ms RESET-Pulse.
Der Vergleich der RESET-Spannungen stellt sich in einer anderen Weise dar. Hier
ähneln sich die Spannungsbereiche der quasistatischen Messungen mit denen der
Pulsmessungen. Die Spannungs-Verteilung lag bei den quasistatischen Messungen
zwischen - 0,2 V und - 1,6 V (Abbildung 6.5 c). Bei den Pulsmessungen wurden bei
- 0,2 V durchschnittlich 30 Pulse für den RESET benötigt, wobei - 0,5 V (was in etwa
dem Maximum der quasistatischen Verteilung entsprach) deutlich für das Ausschalten
mit 100 ms Pulsen genügte. Der Vergleichbarkeit der Spannungsbereiche zu Folge
scheint beim RESET ein anderer Mechanismus zu überwiegen, der jedoch eines
vollständig verstandenen Modellbildes noch bedarf.
Ein abschließendes Experiment in Bezug auf die Performance der Pt/MSQ/Ag-Zellen
wurde mit sehr kurzen Pulsen durchgeführt, um die Schaltgeschwindigkeiten zu
untersuchen.
Die Pulse betrugen eine Weite von 10 ns und wurden mit einem Agilent 81110A
Pulsgenerator in Kombination mit der Süss Probestation auf die 100 nm x 100 nm-
Zellen gegeben. U SET und U RESET wurden mit +/- 3,5 V festgelegt. Nach jedem Puls
wurde der Zustand der Zelle über den Agilent B1500A Semiconductor Device Analyser
mit einer quasistatischen Messung detektiert (U Lesen = 100 mV). Abbildung 6.14 zeigt
die entsprechende Messung.
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