Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
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6 INTEGRATION VON METHYL-SILSESQUIOXAN<br />
mit Werten aus der Literatur vergleichbar, <strong>die</strong> an amorphen SiO 2 -Strukturen mit Cu-<br />
Top-Elektrode erfasst wurden [128]. In <strong>die</strong>ser Arbeit wurde sich <strong>für</strong> <strong>die</strong> geringeren<br />
Spannungen und damit generell <strong>für</strong> <strong>die</strong> Verwendung von Ag-Top-Elektroden<br />
entschieden. Ferner war <strong>die</strong> Herstellung von Cu-Elektroden mittels Nanoimprint-<br />
Lithographie zunächst nicht möglich. Da <strong>die</strong> Imprint-Anlage in einem CMOS-Reinraum<br />
installiert wurde, in dem <strong>die</strong> Gefahr der Cu-Kontamination besteht, war <strong>die</strong><br />
Prozessierung von Cu-beschichteten Wafern hier nicht möglich.<br />
Anzahl der Bauelemente [%]<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
5<br />
0<br />
0 0.5 1 1.5 2<br />
U FORM [V]<br />
a)<br />
Abbildung 6.5: Statistische Auswertung<br />
der<br />
a) Formierspannung,<br />
b) SET-Spannung,<br />
c) RESET-Spannung,<br />
anhand <strong>einer</strong> Testreihe mit 73 von 125<br />
funktionsfähigen 100 nm x 100 nm<br />
Crossbar-Strukturen (58,4 % Ausbeute).<br />
Anzahl der Bauelemente [%]<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
5<br />
0<br />
0 0.5 1 1.5 2<br />
U ON [V]<br />
Anzahl der Bauelemente [%]<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
5<br />
0<br />
0 -0.5 -1 -1.5 -2<br />
U OFF [V]<br />
b)<br />
c)<br />
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