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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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2 Grundlagen<br />

Eigenschaft Lotschicht SnAg(3) Ag Sinterschicht<br />

Schmelzpunkt °C 221 962<br />

Wärmeleitfähigkeit W/mK 70 240<br />

Elektrische Leitfähigkeit MS/m 8 41<br />

Typische Schichtdicke µm 90 20<br />

Therm. Ausdehnungskoeffizient ppm/K 28 19<br />

Tabelle 2.5.2 Vergleich wichtiger Eigenschaften von SnAg(3)-Lot und diffusionsgesintertem Silber.<br />

Hauptvorteil ist die hervorragende Beständigkeit der Sinterschicht gegenüber Temperaturzyklen,<br />

auch bei hohen Maximaltemperaturen. Im Gegensatz dazu neigen Lote bei zu starker Beanspruchung<br />

durch Temperaturzyklen zum Verlust ihrer Festigkeit. Das große Potential der Sintertechnologie<br />

kann am besten durch die Angabe der homologen Temperatur demonstriert werden. Die<br />

homologe Temperatur (in %) eines Materials ist definiert als das Verhältnis der Betriebstemperatur<br />

zum Schmelzpunkt, beide angegeben in Kelvin. Für homologe Temperaturen unter 40% werden<br />

die Materialien durch die Temperatur nicht oder nur wenig geschwächt. Zwischen 40% und 60%<br />

liegt der Kriechbereich, in dem die Materialeigenschaften gegen mechanische Spannungen empfindlich<br />

sind, oberhalb von 60% nimmt die Festigkeit stark ab, das Material wird als ungeeignet für<br />

diesen Einsatz angesehen (Tabelle 2.5.3). Nachteil des Diffusionssinterns ist, dass nur Materialien<br />

mit einer Edelmetalloberfläche miteinander verbunden werden können.<br />

Homologe Temperatur für Lot SnAg(3) Ag Sinterschicht<br />

Betriebstemperatur 100°C 76 % 30 %<br />

(373K)<br />

Betriebstemperatur 150°C 86 % 34 %<br />

(423K)<br />

Schmelztemperatur (100%) 221°C (494K) 962°C (1235K)<br />

Tabelle 2.5.3 Homologe Temperatur in % für das Lot SnAg(3) und eine Silber-Diffusionssinterschicht bei zwei<br />

Betriebstemperaturen<br />

Serienmäßig wird die Sintertechnologie erstmalig als Ersatz der Chiplötung auf der DCB eingesetzt.<br />

Die Module SKiM63/93 sind die ersten komplett lotfreien Module. Denkbar ist ein Einsatz<br />

auch, um die Schwachstellen der großflächigen Lötung der DCB auf die Grundplatte [30] oder der<br />

Bonddrahtverbindung zu eliminieren. Beispiele für letzteres sind in Bild 2.5.2 dargestellt.<br />

Bild 2.5.2 Gesinterte Silberbänder [31] oder Kupferlitzen [32] als Ersatz für klassische Bonddrahtverbindungen<br />

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