Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

2 Grundlagen
schrieben - erhöht werden kann. Im Sperrzustand ändert sich der dreieckige Feldverlauf der einfachen
Struktur in einen nahezu rechteckigen Verlauf, der eine Reduzierung der n - -Dicke zulässt.
Aus der höheren möglichen Dotierung und der niedrigeren möglichen Dicke des n - -Driftgebietes
resultieren die bereits am Superjunction-MOSFET beschriebenen Vorteile gegenüber der konventionellen
Struktur.
Bild 2.4.24 Feldverteilung in einem konventionellen pn-Übergang und einem pn-Übergang
mit Feldplatten [29]
2.5 Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT)
Die Hauptaufgaben der AVT sind:
--
Elektrische Verbindung eines oder mehrerer Halbleiterchips mit dem Stromkreis
--
Abführen der beim Betrieb des Halbleiters entstehenden Wärme an eine Kühlvorrichtung
--
Schutz des/der Halbleiterchips vor schädlichen Umgebungseinflüssen
--
Kennzeichnung des Bauelementtyps und der Anschlüsse.
Nach ihrer Aufbautechnologie kann man die Leistungshalbleiter gemäß folgender Tabelle einteilen.
In manchen Bauelementen wird die Lötung durch eine Sinterverbindung ersetzt.
Leistungshalbleiter
beidseitig gelötet
Leistungshalbleiter
gelötet / gebondet
Leistungshalbleiter
druckkontaktiert
Funktionen
Technologie
Lot
Lot
Silizium
Bonddraht
Silizium
Lot
Druck
Silizium
Diskrete Leistungshalbleiter
(unisoliert)
Isolierte Module
mit Bodenplatte
Isolierte Module
ohne Bodenplatte - -
IPM (Intelligente
Leistungsmodule,
isoliert)
- -
Tabelle 2.5.1 Klassifizierung der Leistungshalbleiter nach Gesichtspunkten der Aufbau- und Verbindungstechnik
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