Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3.3.1 Grenzwerte........................................................................................................ 160
3.3.1.1 Grenzwerte der IGBT................................................................................... 160
3.3.1.2 Grenzwerte der integrierten Inversdioden (Freilaufdioden) .......................... 162
3.3.1.3 Grenzwerte des Modulaufbaus .................................................................... 163
3.3.2 Kennwerte.......................................................................................................... 163
3.3.2.1 Kennwerte der IGBT..................................................................................... 164
3.3.2.2 Kennwerte der hybrid integrierten Inversdioden (Freilaufdioden) ............... 170
3.3.2.3 Kennwerte des Modulaufbaus ..................................................................... 172
3.3.3 Diagramme........................................................................................................ 173
3.3.4 Höchstzulässige sichere Arbeitsbereiche im Schaltbetrieb................................. 181
3.3.4.1 Höchstzulässiger sicherer Arbeitsbereich für Einzelpulse und periodisches
Einschalten (SOA)........................................................................................ 181
3.3.4.2 Höchstzulässiger sicherer Arbeitsbereich beim periodischen Ausschalten
(RBSOA)...................................................................................................... 182
3.3.4.3 Höchstzulässiger sicherer Arbeitsbereich im Kurzschluss............................ 183
3.4 Leistungs-MOSFET-Module...................................................................................... 184
3.4.1 Grenzwerte........................................................................................................ 184
3.4.1.1 Grenzwerte der Leistungs-MOSFET in Vorwärtsrichtung ............................ 184
3.4.1.2 Grenzwerte der Inversdioden (Leistungs-MOSFET in Rückwärtsrichtung) .. 185
3.4.1.3 Grenzwerte des Modulaufbaus .................................................................... 185
3.4.2 Kennwerte.......................................................................................................... 186
3.4.2.1 Kennwerte der Leistungs-MOSFET.............................................................. 186
3.4.2.2 Kennwerte der Inversdioden (Leistungs-MOSFET in Rückwärtsrichtung) ... 189
3.4.2.3 Mechanische Kennwerte des Moduls........................................................... 190
3.4.3 Diagramme........................................................................................................ 190
3.5 Zusätzliche Angaben für CI, CB und CIB Leistungsmodule...................................... 196
3.6 Zusätzliche Angaben für IPM ................................................................................... 198
3.6.1 SKiiP ................................................................................................................. 198
3.6.1.1 Grenzwerte des Leistungsteils..................................................................... 201
3.6.1.2 Grenzwerte des SKiiP Treibers.................................................................... 201
3.6.1.3 Kennwerte des SKiiP-Leistungsteils............................................................. 203
3.6.1.4 Kennwerte des SKiiP-Treibers...................................................................... 205
3.6.2 MiniSKiiP IPM.................................................................................................... 209
3.6.2.1 Grenzwerte des MiniSKiiP IPM-Treibers.......................................................211
3.6.2.2 Elektrische Kennwerte des MiniSKiiP IPM-Treibers..................................... 212
4 Applikationshinweise für Thyristoren und Netzdioden............................................... 215
4.1 Bemessung und Auswahl von Thyristoren und ..............................................................
Gleichrichterdioden................................................................................................... 215
4.1.1 Sperrspannung................................................................................................... 215
4.1.2 Gleichrichterdioden............................................................................................ 216
4.1.2.1 Thermische Belastung bei Dauerbetrieb...................................................... 216
4.1.2.2 Belastung bei Kurzzeit und Aussetzbetrieb.................................................. 217
4.1.2.3 Belastungen bei höheren Frequenzen.......................................................... 218
4.1.2.4 Stoßstrom - Grenzwerte bei Zeiten unter und über 10 ms ........................... 218
4.1.3 Thyristoren......................................................................................................... 219
4.1.3.1 Belastung bei Dauerbetrieb ......................................................................... 219
4.1.3.2 Belastung bei Kurzzeit- und Aussetzbetrieb................................................. 221
4.1.3.3 Stoßstrom-Grenzwerte für Zeiten unter und über 10 ms.............................. 222
4.1.3.4 Kritische Strom- und Spannungssteilheit ..................................................... 222
4.1.3.5 Zündeigenschaften ...................................................................................... 223
4.1.4 Thyristor-Diodenmodule ................................................................................... 223
4.1.5 Brückengleichrichter........................................................................................... 225
4.1.6 SemiSel Software als Dimensionierungshilfe..................................................... 225
4.2 Kühlung von Gleichrichterbauelementen.................................................................. 228
4.2.1 Kühlung bei Kleinleistungs-Bauelementen ........................................................ 228
III