Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

2 Grundlagen
Eingangskapazität
Rückwirkungskapazität (Millerkapazität)
Ausgangskapazität
Leistungs-MOSFET
C iss
= C GS
+ C GD
C rss
= C GD
C oss
= C GD
+ C DS
Tabelle 2.4.4 Definition der Kleinsignalkapazitäten eines Leistungs-MOSFET
Zur Berechnung des Schaltverhaltens sind diese Angaben aus den bereits für den IGBT genannten
Ursachen ebenfalls nur sehr eingeschränkt nutzbar. Nachstehend wird das Schaltverhalten
von Leistungs-MOSFET beim harten Schalten ohmsch-induktiver Lasten mit nichtlückendem Laststrom
qualitativ betrachtet, d.h. die Lastzeitkonstante L/R ist viel größer als die Periodendauer
1/f der Schaltfrequenz. Bild 2.4.19 zeigt die grundsätzlichen Verläufe von Drainstrom und Drain-
Source-Spannung analog zum im vorigen Kap. beschriebenen IGBT.
Außer den nichtidealen Eigenschaften der Transistoren und Dioden beeinflussen auch passive
Stromkreiselemente die Schaltverluste und Arbeitspunktverläufe in hohem Maße. Deren Auswirkungen
werden später in Kap. 5. näher diskutiert.
v
GS, vGE
V GG
V GE(pl)
V GS(pl)
V GS(th)
V GE(th)
t 1
t 2
t 3
t 4
t
i
D, iC
I L
MOSFET
I (IGBT)
t
t
v
DS, vCE
V
V DD
CC
V DS(on)
VCE(sat)
MOSFET
IGBT
Bild 2.4.19 Typisches Schaltverhalten von Leistungs-MOSFET und IGBT beim „harten Schalten“ ohmschinduktiver
Last mit Freilaufkreis (Strom- und Spannungsverläufe)
t
67