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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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2 Grundlagen<br />

Der Vorgang in einer Soft-Recovery-Diode ist in Bild 2.3.12 dargestellt. Es bleibt während des<br />

ganzen Vorganges ein Ladungsträgerberg erhalten, der den Rückstrom speist. Zum Zeitpunkt<br />

t 5<br />

hat die Diode bereits die angelegte Spannung aufgenommen. Das beschriebene dynamische<br />

Verhalten führt zu einem Tailstrom, wie er in der Messung in Bild 2.3.17 dargestellt ist.<br />

N<br />

A, N<br />

D, p<br />

1E+18<br />

Charge Carrier Hill<br />

n +<br />

1E+16<br />

p<br />

t 0<br />

Hole Current t 5 t6<br />

t 2 t3<br />

t4 t 4<br />

Electron Current<br />

1E+14<br />

n -<br />

t 5 t 6<br />

100 200<br />

w [µm]<br />

Bild 2.3.12 Diffusionsprofil und Simulation des Verlaufs des Abbaus der Ladungsträger (Löcherdichte) in<br />

einer Soft-Recovery-Diode<br />

Ob Soft-Recovery-Verhalten erreicht wird, hängt davon ab, wie die Beherrschung dieses Abbaus<br />

der Ladungsträger gelingt. Folgende Maßnahmen bewirken ein mehr softes Recovery-Verhalten:<br />

--<br />

Die Weite w B<br />

der n - -Zone wird derart verbreitert, eine NPT-Dimensionierung wird angewandt,<br />

und zusätzlich wird eine Zone in der Diode eingebaut, die bei Nennspannung vom Feld nicht<br />

erreicht wird. Dies führt aber zu einem sehr starken Anstieg der Durchlassspannung bzw. der<br />

V F<br />

/Q RR<br />

-Relation.<br />

--<br />

Um die Erhöhung von w B<br />

etwas zu begrenzen, kann eine zweistufige n - -Zone eingesetzt werden<br />

[13] mit einem höher dotierten Bereich in der Nähe des n-n + -Überganges. In Bild 2.3.11 und Bild<br />

2.3.12 wird durch einen flachen Gradienten am n - -n + -Übergang eine ähnliche Wirkung erzeugt.<br />

Allerdings reicht diese Maßnahme allein für Soft-Recovery-Verhalten nicht aus.<br />

--<br />

die Umkehr der Ladungsträgerverteilung durch einen p-Emitter niedrigen Wirkungsgrades (siehe<br />

„Emitterkonzept“),<br />

--<br />

ein axiales Trägerlebensdauerprofil entsprechend dem CAL Konzept, das am pn-Übergang eine<br />

niedrige, am n - -n + -Übergang eine höhere Trägerlebensdauer vorsieht.<br />

Um Soft-Recovery-Verhalten unter allen Bedingungen zu erreichen, müssen in der Regel mehrere<br />

dieser Maßnahmen kombiniert werden. Der erreichte Fortschritt ist aber stets auch daran zu beurteilen,<br />

wieweit auch eine höhere Durchlassspannung oder ein höheres Q RR<br />

in Kauf genommen<br />

wird.<br />

Mindesteinschaltdauer<br />

Damit die oben beschriebenen soften Schalteigenschaften auch tatsächlich erreicht werden, muss<br />

den Ladungsträgern ausreichend Zeit gewährt werden, die quasi statische Ladungsträgerverteilung<br />

zu erreichen. Bei sehr kurzen Leitdauern ist dies nicht der Fall.<br />

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