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Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter V GSS Gate-source voltage, drainsource short circuited V GT Gate trigger voltage Zündspannung V iH Input signal voltage (HIGH) max. Gate-Source Spannung, Drain- Source kurzgeschlossen Eingangssignalspannung (HIGH) max. Isolation test voltage V isol(12) (r.m.s. /1 min.) output 1 - output 2 (driver) Isolation test voltage (r.m.s. /1 V isol(IO) min.) input-output (driver) Partial discharge extinction V isolPD voltage Input threshold voltage (LOW) V iTmax. Input threshold voltage (HIGH) V iT+ min. Isolations-Prüfspannung (eff. 1 min.) Ausgang 1 - Ausgang 2 V in Input voltage Eingangsspannung Visol Insulation test voltage (r.m.s.) Isolations-Prüfspannung (Effektivwert) Isolations-Prüfspannung (eff. 1 min.) Eingang-Ausgang Teilentladungsaussetzspannung Maximale Eingangssignalschwellspannung (LOW) Minimale Eingangssignalschwellspannung (HIGH) V M Peak pulse voltage Impuls-Spitzenspannung V oH V oL Logic HIGH output voltage (driver) Logic LOW output voltage (driver) Signalausgangsspannung (HIGH) (Treiber) Signalausgangsspannung (LOW) (Treiber) V out Output voltage Ausgangsspannung V R (Direct) reverse voltage Sperr(gleich)spannung (in Rückwärtsrichtung) V RD Direct reverse voltage Gleichsperrspannung (in Rückwärtsrichtung) V RGM Peak reverse gate voltage Rückwärts-Spitzensteuerspannung V RGO No-load reverse gate voltage Rückwärts-Steuerspannung im Leerlauf V RRM V RSM V S V S1 V S2 V SD v T Repetitive peak reverse voltage Non-repetitive peak reverse voltage Supply voltage primary (for gate driver) Supply voltage stabilized Supply voltage non stabilized Negative source-drain voltage (inverse diode forward voltage) On-state voltage (instantaneous value) Periodische Spitzensperrspannung (in Rückwärtsrichtung) Stoßspitzensperrspannung in Rückwärtsrichtung Versorgungsspannung stabilisierte Versorgungsspannung nicht stabilisierte Versorgungsspannung Source-Drain-Spannung in Rückwärtsrichtung Durchlassspannung (Augenblickswert) V T On-state voltage (Thyristor) Durchlassspannung (Thyristor) 455
Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter V VRMS V w Alternating input voltage (r.m.s. value) Water volume per unit time Eingangswechselspannung (Effektivwert) Wassermenge in der Zeiteinheit V w Water volume Wassermenge (Volumen) V WW Maximum alternating working voltage between windings (r.m.s. value) (pulse transformer) w Weight Gewicht W1 W3 Single phase a.c. controller connection Three phase a.c. controller connection Höchstzulässige Betriebswechselspannung zwischen den Wicklungen (Effektivwert) Einphasige Wechselwegschaltung (antiparallel) Dreiphasige Wechselwegschaltung (antiparallel) Z th Transient thermal impedance Thermische Impedanz Z th(c-a) Z th(j-c) Z th(j-c)FD Z th(j-r) D Z th(j-r) I Z th(j-s) Z th(r-a) Z th(s-a) Z thp Transient thermal impedance case to ambient Transient thermal impedance junction to case Transient thermal impedance junction to case of the freewheeling diode Transient thermal impedance junction to reference (sensor) inverse Diode Transient thermal impedance junction to reference (sensor) IGBT Transient thermal impedance junction to heat sink Transient thermal impedance reference (sensor) to ambient Transient thermal impedance heat sink to ambient Transient thermal impedance under pulse conditions Thermische Impedanz Gehäuse-Umgebung Thermische Impedanz Sperrschicht-Gehäuse Thermische Impedanz Sperrschicht-Gehäuse der Freilaufdiode Thermische Impedanz Sperrschicht-Temperatursensor der Freilaufdiode Thermische Impedanz Sperrschicht-Temperatursensor der IGBT Thermische Impedanz Sperrschicht-Kühlkörper Thermische Impedanz Temperatursensor - Umgebung Thermische Impedanz Kühlkörper - Umgebung Pulswärmewiderstand Dp Pressure drop Druckdifferenz Q Conduction angle Stromflusswinkel 456
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte...................
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5.2.3.4 Bauelementauswahl..........
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1 Betriebsweise von Leistungshalble
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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2 Grundlagen Glass passivation Anod
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2 Grundlagen I F 0.1 I F v V FRM ma
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2 Grundlagen Rückwärtsstrom Der
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2 Grundlagen Die Stromverstärkunge
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2 Grundlagen Die Höhe der Rekombin
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2 Grundlagen D A np 2 n p kT q
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2 Grundlagen 1000 950 900 Platinum-
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2 Grundlagen 1200V I RRM Diode V IG
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2 Grundlagen 2.3.3.3 Dynamische Rob
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2 Grundlagen B´ SiO 2 p + Emitter
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2 Grundlagen Symbol Bezeichnung phy
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2 Grundlagen -aktiver Arbeitsbereic
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2 Grundlagen v GS, vGE V GG V GE(pl
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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2 Grundlagen 2.5.1.3 Drahtbonden Be
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2 Grundlagen Bei den keramischen Is
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2 Grundlagen Material Wärmeleitfä
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2 Grundlagen 40.00 35.00 Copper Chi
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2 Grundlagen Baseplate Module a) pr
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2 Grundlagen Wärmekopplung Aufgrun
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2 Grundlagen 2.5.2.3 Lastwechselfes
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2 Grundlagen ausgesprochenen Massen
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2 Grundlagen 2.5.3 Diskrete Bauelem
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2 Grundlagen Pressure piece welded
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2 Grundlagen ~Terminal +Terminal -T
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2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
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2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen tung auf der DCB und d
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2 Grundlagen First compensating coi
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2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
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2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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2 Grundlagen Climatic chamber T max
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2 Grundlagen Bild 2.7.5 Prinzipzeic
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2 Grundlagen -- Einsatz von AlN-Sub
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2 Grundlagen gen im Sekundenbereich
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2 Grundlagen der Auswertung einer V
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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