Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron
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Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter<br />

P TAV<br />

Mean on-state power dissipation<br />

(Thyristor)<br />

Mittlere Durchlass-Verlustleistung<br />

(Thyristor)<br />

P tot<br />

Total power dissipation Gesamt-Verlustleistung<br />

P W<br />

Water pressure Wasserdruck<br />

P ZSM<br />

Q f<br />

Non repetitive peak power<br />

dissipation (Zener diodes)<br />

Charge recovered during the<br />

reverse current fall time<br />

Stoßspitzen-Verlustleistung<br />

(Zener Dioden)<br />

Ladung, die während der<br />

Rückstrom-Fallzeit abfließt<br />

Q G<br />

Gate charge (IGBT; MOSFET) Gate-Ladung (IGBT; MOSFET)<br />

Qout/pulse<br />

Output charge per pulse (Driver)<br />

Ausgangsladung pro pulse<br />

(Treiber)<br />

Q rr<br />

Reverse recovery charge Sperrverzögerungsladung<br />

R CC'+EE'<br />

r CE<br />

R CE<br />

r DS(on)<br />

Resistance of the interconnections<br />

between terminals and<br />

die<br />

On-State slope resistance<br />

(IGBT)<br />

Resistor for V CE<br />

monitoring<br />

Drain-source on-resistance<br />

(MOSFET)<br />

Kompletter Anschlusswiderstand<br />

Terminal-Chip-Terminal<br />

Bahnwiderstand IGBT<br />

Widerstand für V CE<br />

-Überwachung<br />

(Treiber)<br />

Drain-Source-Einschaltwiderstand<br />

(On-Widerstand) MOS-<br />

FET<br />

rec. Rectangular current waveform Rechteckförmiger Stromverlauf<br />

rec. 120<br />

R EX<br />

r F<br />

Rectangular current pulse,<br />

120° conduction angle<br />

Auxiliary emitter series resistor<br />

(parallel IGBT)<br />

On-state slope resistance, forward<br />

slope resistance (Diode)<br />

Rechteck-Strompuls, 120°<br />

Stromflusswinkel<br />

Widerstand vor Hilfsemitter (für<br />

parallelgeschaltete IGBT)<br />

Durchlass- Ersatzwiderstand<br />

(Diode)<br />

R G<br />

Gate circuit resistance Externer Gate Widerstand<br />

R Gint<br />

Internal gate resistance Interner Gate Widerstand<br />

R Goff<br />

R Goffmin<br />

R gon<br />

R Gonmin<br />

R GS<br />

External gate series resistor at<br />

switch-off (MOSFET, IGBT)<br />

Minimum value of an external<br />

switch-off gate resistor (Driver)<br />

External gate series resistor at<br />

switch-on (MOSFET, IGBT)<br />

Minimum value of an external<br />

switch-on gate resistor (Driver)<br />

Gate-source resistance<br />

(MOSFET)<br />

Gatevorwiderstand zum Abschalten<br />

Minimalwert für einen Externen<br />

Ausschalt-Gatewiderstand<br />

Gatevorwiderstand zum Einschalten<br />

Minimalwert für einen Externen<br />

Einschalt-Gatewiderstand<br />

Gate-Source-Widerstand<br />

(MOSFET)<br />

RH storage<br />

storage humidity Luftfeuchte bei Lagerung<br />

R IN<br />

Input resistance Eingangswiderstand<br />

R iso<br />

Insulation resistance Isolationswiderstand<br />

R L<br />

Load resistance Lastwiderstand<br />

450

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