Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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Literaturverzeichnis [79] Hoffmann, K.F.; Kärst, J.P.; Rexhausen, W.: „Reduced IGBT Conducting Power Losses by Miller Effect Triggered Gate Current Injection”, PCIM Europe 2006, Conferece Proceedings [80] „Failure Rates of HiPak Modules Due to Cosmic Rays“, Application Note 5SYA 2042-03. Nando Kaminski, Arnost Kopta ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, July 2009 [81] PORTUNUS® www.adapted-solutions.com [82] SIMPLORER® www.ansoft.com [83] PLECS® www.plexim.com [84] Wintrich, A.: „Verhaltensmodellierung von Leistungshalbleitern für den rechnergestützten Entwurf leistungselektronischer Schaltungen“, Diss., TU Chemnitz, 1996; http://archiv.tuchemnitz.de/pub/1998/0023/data/inhalt.htm 443
Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter Kurzzeichen Englisch Deutsch (di/dt) cr (dv/dt) cr Critical rate of rise of on-state current Critical rate of rise of off-state voltage ∫ vdt Voltage-time integral at no load a Maximum acceleration under vibration Kritische Stromsteilheit Kritische Spannungssteilheit Spannungs-Zeit-Fläche bei Leerlauf Zulässige Beschleunigung beim Schalten b Width of the module base Breite des Modulbodens B2 Two-pulse bridge connection Zweipuls-Brückenschaltung B25/85 Exponent of temperature sensor equation Exponent für Temperatursensor Gleichung B6 Six-pulse bridge connection Sechspuls-Brückenschaltung BW Ioutsens Bandwith of output current sensing Bandbreite der Strommessung BW TBsens BW TCSsens BW VDCsens C CHC C DC C eqvl C ies Bandwith of temperatur sensing on driver board Bandwith of temperatur sensing on ceramic-substrate Bandwith of DC-link-voltage sensing Capacitance chip-case (baseplate) Capacitance of DC-link capacitor bank Equivalent capacitance of a DC-link capacitor bank Input capacitance, output short-circuited (IGBT) Bandbreite der Temperatur- Messelektronik Bandbreite des Temperatursensors Bandbreite der Zwischenkreisspannungserfassung Kapazität Chip-Gehäuse (Grundplatte) Kapazität des Zwischenkreiskondensators Ersatzkapazität einer Zwischenkreiskondensatorbank Eingangskapazität, Ausgang kurzgeschlossen (IGBT) C IN Input capacitance Eingangskapazität C iss Input capacitance, output short-circuited (MOS) Eingangskapazität, Ausgang kurzgeschlossen (MOSFET) C j Junction capacitance Sperrschichtkapazität C L Load capacitor Lastkondensator C max C oes C oss C ps Maximum value of reservoir capacitor Output capacitance, input short-circuited (IGBT) Output capacitance, input short-circuited (MOSFET) Coupling capacitance, primary to secondary winding Größter Ladekondensator (bei größerem C Strom verringern) Ausgangskapazität, Eingang kurzgeschlossen (IGBT) Ausgangskapazität, Eingang kurzgeschlossen (MOSFET) Koppelkapazität zwischen Primär- und Sekundärwicklung 444
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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2 Grundlagen Glass passivation Anod
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2 Grundlagen I F 0.1 I F v V FRM ma
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2 Grundlagen 1200V I RRM Diode V IG
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2 Grundlagen 2.3.3.3 Dynamische Rob
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2 Grundlagen B´ SiO 2 p + Emitter
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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2 Grundlagen 2.5.1.3 Drahtbonden Be
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2 Grundlagen Bei den keramischen Is
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2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
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2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen tung auf der DCB und d
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2 Grundlagen Climatic chamber T max
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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v CE V CE/SC(on) V CE/SC(off) 5 App
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