03.07.2014 Aufrufe

Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

Literaturverzeichnis<br />

[17] Lutz, J.: „Halbleiter-Leistungsbaulemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit“, Springer-Verlag<br />

Berlin Heidelberg 2006, ISBN 3-540-34206-0<br />

[18] Rusche, W.: „Die vierte IGBT-Generation. Moderne IGBT ermöglichen Energieeinsparungen<br />

bei industriellen Anwendungen“, www.elektroniknet.de<br />

[19] Dewar, S.; Linder, S.; von Arx, C.; Mukhitinov, A.; Debled, G.: „Soft Punch Through (SPT)<br />

– Setting new Standards in 1200V IGBT“, PCIM Europe 2006, Conference Proceedings<br />

[20] Cammarata, M.; Kopta, A.; Rahimo, M.; Klaka, S.; Richter, F.; Geissman, S.: „1200V SPT+<br />

IGBT and Diode chip-set for high DC-link Voltage applications“, PCIM Europe 2009, Conference<br />

Proceedings<br />

[21] IGBT Modules <strong>Application</strong> Note: The 5th Generation IGBT Chip, Mitsubishi 12/2007<br />

[22] Takeda, T.; Kuwahara, M.; Kamata, S.; Tsunoda, T.; Imamura, K.; Nakao, S.: „1200V trench<br />

gate NPT-IGBT (IEGT) with ecxellent low on-state voltage“, ISPSD 1998, Conference proceedings<br />

[23] Eckel, H.-G.: „Potential of Reverse Conducting IGBT in Voltage Source Inverters“, PCIM<br />

Europe 2009, Conference Proceedings<br />

[24] Buonomo, S.; Crisafulli, V.; VItale, G.; Nania, M.; Scollo, R.: „ESBT® Technology in Industrial<br />

Converters: the best way to cut your losses“, PCIM Europe 2008, Conference<br />

Proceedings<br />

[25] Kapels, H.; Schmitt, M.; Kirchner, U.; Aloise, G.; Bjoerk, F.: „New 900V Voltage Class for<br />

Junction Devices – A New Horizon for SMPS and renewable energy applications“, PCIM<br />

Europe 2008, Conference Proceedings<br />

[26] Stengl, J.P.; Tihanyi, J.: „Leistungs-MOS-FET-Praxis“, Pflaum Verlag München, 2. Auflage,<br />

1992<br />

[27] Gillberg, J.: „Mixed Signal and <strong>Power</strong> Integration Packaging Solutions“, Bodo´s <strong>Power</strong><br />

Systems, 10/2009, pp. 32-34<br />

[28] Lutz, J.; Reimann, T.: „Advanced Design with MOSFET and IGBT <strong>Power</strong> Modules“, Tutorial,<br />

PCIM Europe 2007, Conference Proceedings<br />

[29] Siemieniec, R.; Hirler, F.; Geissler, D.: „Space-saving edge-termination structures for vertical<br />

charge compensation devices“, EPE 2009, Conference Proceedings<br />

[30] Eisele, R.; Rudzki, J.; Kock, M.: „Pressure Sintering for Thermal Stack Assembly“, PCIM<br />

Europe 2007, Conference Proceedings<br />

[31] Rudzki, J.: „Aufbaukonzepte für die Leistungselektronik mit der Niedertemperatur-Verbindungstechnik“,<br />

Diss., VDI Verlag, Düsseldorf, 2006, ISBN 3-18-337621-0<br />

[32] Eisele, Migdalek, Rabsch, Rudzki: „Reliable Chip Contact Joining“, PCIM Europe 2009,<br />

Conference Proceedings<br />

[33] Sleven, M.; Luniewski, P.: „Wind Turbine Inverter Technology – the Quest for increased<br />

reliability“, <strong>Power</strong> Systems Design Europe, 09/2009<br />

[34] Chandler, G.; Zimmer, J.: „SOD substrates: The next Stepp in electronics thermal managment“,<br />

Workshop on thermal managment, Palo Alto USA, 09/2006<br />

[35] Mitsubishi IGBT manual 2009, http://www.mitsubishichips.com/Global/files/manuals/igbt_<br />

note_e.pdf<br />

[36] Maruta, A.; Tabata, M.: „2500A/1200V Dual IGBT Module“, PCIM Europe 2009, Conference<br />

Proceedings<br />

[37] Konrad, S.: „Ein Beitrag zur Auslegung und Integration spannungsgespeister IGBT-Wechselrichter“,<br />

Diss. TU Ilmenau 1997, Verlag ISLE, ISBN 3-932633-09-1<br />

440

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!