Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
Schnelle Dioden in ZCS
Dioden schalten in ZCS mit Rückstromabriss bei gleichzeitiger Sperrspannungsübernahme aus.
Aufgrund vorhandener Kommutierungsinduktivitäten erfolgt die Abkommutierung der Dioden jedoch
mit geringerer Geschwindigkeit als in hart schaltenden Umrichtern (niedrigere Rückstromspitze,
geringere Ausschaltverluste). Trotzdem besteht die Forderung nach hoher Ausschaltdynamik,
verbunden mit niedrigen Ausschaltverlusten.
Werden schnelle Dioden in ZCS als Reihendioden von IGBT oder MOSFET eingesetzt, besteht
zudem die Forderung nach sehr gutem dynamischen Einschaltverhalten (forward recovery).
5.9.3.4 Schlussfolgerungen
Die Bewertung von Leistungshalbleitern beim harten Schalten ist nicht auf das weiche Schalten
übertragbar. Unter den Bedingungen des weichen Schaltens sind aufgrund der erläuterten dynamischen
Prozesse Bauelemente mit niedrigerer Ladungsträgerlebensdauer besser geeignet.
Verfügbare Datenblattangaben zu leistungselektronischen Bauelementen sind in der Regel nicht
für die Bewertung des dynamischen Verhaltens in ZVS- und ZCS-Topologien geeignet.
Aufgrund der Vielzahl entlastet schaltender Stromrichtertopologien mit ihren spezifischen Schalterbeanspruchungen
ist eine Pauschalaussage zu Frequenzgrenzen von Schaltern mit IGBT und
MOSFET nicht möglich.
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