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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

switch current i [A] S<br />

26.7<br />

switch current i [A] S<br />

27.1<br />

Q S<br />

14.3<br />

Q S<br />

14.4<br />

1.9<br />

iS<br />

1.7<br />

switch voltage v S [V]<br />

-10.4<br />

522<br />

VS<br />

switch voltage v S [V]<br />

-11<br />

571<br />

138<br />

172<br />

-246<br />

-228<br />

-630<br />

-627<br />

NPT - IGBT t=1 µs/div<br />

PT - IGBT t=1 µs/div<br />

Bild 5.9.15 Ausschaltverläufe von 1200 V/50 A-NPT- und PT-IGBT im selben Arbeitspunkt (t H<br />

= 1,3 µs,<br />

L K<br />

= 10 µH)<br />

Die Abhängigkeit der Restspeicherladung von der Schonzeit zeigt Bild 5.9.16a. Darin werden<br />

die Vorzüge der PT-Struktur sehr anschaulich dargestellt. Nachteilig wirkt sich dagegen die für<br />

PT-Strukturen stärkere Temperaturabhängigkeit der Speicherladung aus, die aufgrund der damit<br />

verbundenen Gefahr der thermischen Mitkopplung (thermal runaway) insbesondere bei kleinen<br />

Schonzeiten die maximal zulässige Schaltfrequenz einschränkt (Bild 5.9.16b).<br />

Qs [µC]<br />

Qs [µC]<br />

NPT-<br />

IGBT<br />

High-Speed-PT-<br />

IGBT<br />

Low-VCEsat-PT-<br />

IGBT<br />

NPT-IGBT (0,02µC/K)<br />

Low-<br />

VCEsat-PT-IGBT<br />

(0,07 µC/K)<br />

High-Speed-PT-IGBT<br />

(0,04 µC/K)<br />

tH[µs]<br />

Tj [°C]<br />

a) b)<br />

Bild 5.9.16 a) Restspeicherladung von PT- und NPT-IGBT-ZCS als Funktion der Schonzeit (v K<br />

= 400 V,<br />

i L<br />

= 30 A, L K<br />

= 10µH)<br />

b) Speicherladung von PT- und NPT-IGBT-ZCS als Funktion der Sperrschichttemperatur des<br />

Transistors (v K<br />

= 400 V, i L<br />

= 30 A, L K<br />

= 10 µH, t H<br />

= 1,3 µs)<br />

In [78] wird eine IGBT-ZCS-Treiberstufe vorgestellt, bei der während der Schonzeit ein zusätzlicher<br />

Kollektorstrom über den Treiber in den IGBT eingespeist wird, um die Speicherladung auszuräumen.<br />

Mit dieser Maßnahme konnten die Verluste während der Blockierspannungsübernahme<br />

insbesondere bei Schonzeiten t H<br />

> 2 µs drastisch gesenkt werden.<br />

ZCS mit MOSFET<br />

Durch die nicht vorhandene dynamische Sättigungsphase können MOSFET mit sehr kleinen (...1<br />

µH...) seriellen Entlastungsinduktivitäten nahezu vollständig einschaltentlastet werden.<br />

Die hohe Ausgangskapazität von MOSFET wirkt sich allerdings nachteilig auf die Einschaltverluste<br />

aus. Bei hohen Schaltfrequenzen (> 50 kHz) muss der hierdurch resultierende Verlustanteil an den<br />

Gesamtverlusten berücksichtigt werden.<br />

Aufgrund des unipolaren Charakters erfolgt keine Ausräumung von Restspeicherladung bei Umpolung<br />

der Schalterspannung am Ende der Schonzeit. Allerdings muss die relativ hohe Ausgangskapazität<br />

umgeladen werden.<br />

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