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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

Vergleicht man die Bahn der Arbeitspunkte in den Bildern 5.9.2, 5.9.3, 5.9.5 so erkennt man, dass<br />

die unter der Bahn eingeschlossene Fläche unterschiedlich groß ist. Der Flächeninhalt ist ein<br />

relatives Maß für die im Schaltvorgang auftretende Verlustenergie. Beim harten Schalten (Bild<br />

5.9.2) hat die Fläche ihr Maximum. Im Fall des idealen resonanten Schaltens würde die Bahn des<br />

Arbeitspunktes entlang der Achsen des Koordinatensystems verlaufen. Bei realen resonanten<br />

oder quasiresonanten Schalt- und Kommutierungsvorgängen stellt sich eine Bahn zwischen den<br />

beiden genannten Grenzfällen ein (Bilder 5.9.3 und 5.9.5).<br />

5.9.3.2 Forderungen an die Halbleiterschalter und deren Treiber<br />

ZVS:<br />

Leistungshalbleiter:<br />

--<br />

müssen aktiv ausschaltbar und gut ausschaltentlastbar sein<br />

--<br />

bei IGBT: + niedrige Ladungsträgerlebensdauer und Tailladung<br />

+ geringe Abhängigkeit der Tailladung und Ladungsträgerlebensdauer von der<br />

Sperrschichttemperatur<br />

+ niedrige Vorwärts-Einschaltüberspannung während der Leitwertmodulation<br />

beim spannungslosen Einschalten mit eingeprägtem di/dt<br />

--<br />

Da Dioden in ZVS nicht mit Rückstromabriss bei gleichzeitiger Sperrspannungsübernahme ausschalten,<br />

bestehen geringere Anforderungen an das Reverse-Recovery-Verhalten im Vergleich<br />

zu hart schaltenden Topologien.<br />

Treiberschaltung:<br />

Die Treiberschaltung muss folgende Mindestfunktionen erfüllen:<br />

--<br />

aktives Ausschalten des IGBT/MOSFET und<br />

--<br />

Überwachung der Schalterspannung und passives Einschalten des ZVS bei v S<br />

≈ 0 V.<br />

Modifizierter ZVS-Betrieb:<br />

Die Zeit für eine kapazitive Kommutierung errechnet sich näherungsweise aus<br />

t Kc<br />

≈ (C K<br />

· v K<br />

)/i L<br />

Darin sind: C K<br />

: umzuladende Kommutierungskapazität (Entlastungskapazität)<br />

v K<br />

: Kommutierungsspannung<br />

i L<br />

: zu kommutierender Laststrom<br />

In Stromrichtern kann es bei kleinen Lastströmen zu unerwünscht langen Kommutierungszeiten<br />

kommen, die die fehlerfreie Funktionsweise der Schaltung gefährden. Um das zu vermeiden, können<br />

modifizierte ZVS eingesetzt werden, die nach Ablauf einer einstellbaren maximalen Kommutierungszeit<br />

den Kommutierungsvorgang durch ein aktives Einschalten auf die nicht vollständig<br />

umgeladene Kommutierungskapazität abrupt beenden. Das kann jedoch nur auf Kosten höherer<br />

Schaltverluste erfolgen.<br />

Bild 5.9.7 zeigt das Prinzip eines modifizierten ZVS.<br />

+<br />

„hard interrupt“ of voltage<br />

commutation in case of<br />

exceeding the max.<br />

commutation time<br />

&<br />

-<br />

v ref<br />

i S<br />

tKmax<br />

1<br />

ON<br />

t<br />

t<br />

Driver<br />

v S<br />

t<br />

OFF<br />

Bild 5.9.7 Prinzip des modifizierten ZVS<br />

403

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