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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module i S ON forward on-state ZVS turn-on IGBT forward recovery soft turn-off IGBT i S i L changes polarity OFF ZVS C K 2 v S i L OFF reverse blocking turn-off Diode without hard reverse recovery forward blocking neutral turn-on Diode v S C K 2 reverse on-state ON Bild 5.9.3 Arbeitspunktverlauf von Schalterstrom und -spannung beim weichen/resonanten Schalten als ZVS V K C K 2 i S 1 C K 2 S i 1 L S 2 C S K 2 2 C K 2 V K L S 1 vK (v ) DC C K 2 iL (i ) AC R Load C K 2 S 1 i L V K S 2 C K 2 S 2 C K 2 Series Resonant Converter Bild 5.9.4 Kommutierungskreise mit ZVS und Reihenresonanz-Konverter als Schaltungsbeispiel 401
5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module i S ON forward on-state neutral turn-off Diode ZCS turn-off IGBT without voltage rise soft turn-on IGBT turn-on Diode (forward recovery) OFF i S L K 2 v S OFF reverse blocking v K changes polarity forward blocking v S v K iL L K 2 reverse on-state ON Bild 5.9.5 Arbeitspunktverlauf von Schalterstrom und -spannung beim weichen/resonanten Schalten als ZCS L K V K 2 S 1 i L L K2 S 1 i L V K S 2 L K2 L K2 S 2 iL (i ) DC L K2 L K2 L K2 S 1 S 2 vK (v ) AC R Load V K S 1 i L L K2 S 2 402 Parallel Resonant Converter Bild 5.9.6 Kommutierungskreise mit ZCS und Parallelresonanz-Konverter als Schaltungsbeispiel
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte...................
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5.2.3.4 Bauelementauswahl..........
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1 Betriebsweise von Leistungshalble
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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2 Grundlagen Glass passivation Anod
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2 Grundlagen I F 0.1 I F v V FRM ma
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2 Grundlagen Rückwärtsstrom Der
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2 Grundlagen Die Stromverstärkunge
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2 Grundlagen Auxiliary thyristor Ma
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2 Grundlagen w n- n + Schottky- Bar
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2 Grundlagen Die Höhe der Rekombin
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2 Grundlagen D A np 2 n p kT q
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2 Grundlagen Einschaltüberspannung
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2 Grundlagen 1000 950 900 Platinum-
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2 Grundlagen a) b) Bild 2.3.13 a) A
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2 Grundlagen 1200V I RRM Diode V IG
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2 Grundlagen 2.3.3.3 Dynamische Rob
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2 Grundlagen B´ SiO 2 p + Emitter
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2 Grundlagen Symbol Bezeichnung phy
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2 Grundlagen -aktiver Arbeitsbereic
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2 Grundlagen v GS, vGE V GG V GE(pl
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2 Grundlagen Einschalten: Schaltzei
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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2 Grundlagen Bild 2.4.11 Struktur e
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2 Grundlagen Bild 2.4.13 Prinzipiel
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2 Grundlagen Das Schaltungsprinzip
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2 Grundlagen 2.4.3.1 Statisches Ver
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2 Grundlagen Source Gate Source Al
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2 Grundlagen Eingangskapazität Rü
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2 Grundlagen Ausschaltgeschwindigke
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2 Grundlagen Bild 2.4.22 Gegenüber
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2 Grundlagen Entwicklungsrichtungen
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2 Grundlagen 2.5.1.3 Drahtbonden Be
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2 Grundlagen schlüsse realisiert.
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2 Grundlagen Bodenplatte Solche Mod
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2 Grundlagen Bei den keramischen Is
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2 Grundlagen Material Wärmeleitfä
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2 Grundlagen 40.00 35.00 Copper Chi
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2 Grundlagen Baseplate Module a) pr
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2 Grundlagen Wärmekopplung Aufgrun
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2 Grundlagen 2.5.2.3 Lastwechselfes
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2 Grundlagen solche Konstruktion is
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2 Grundlagen ausgesprochenen Massen
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2 Grundlagen 2.5.3 Diskrete Bauelem
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2 Grundlagen Pressure piece welded
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2 Grundlagen ~Terminal +Terminal -T
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2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
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2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen tung auf der DCB und d
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2 Grundlagen First compensating coi
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2 Grundlagen Bei Modulen sind die S
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2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
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2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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2 Grundlagen Climatic chamber T max
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2 Grundlagen Bild 2.7.5 Prinzipzeic
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2 Grundlagen Aus Bild 2.7.9 und Bil
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2 Grundlagen -- Einsatz von AlN-Sub
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2 Grundlagen gen im Sekundenbereich
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2 Grundlagen der Auswertung einer V
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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