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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

ter mit eingeprägtem di/dt um,<br />

--<br />

Induktivität im Kommutierungskreis L K<br />

sollte auf minimalem Wert sein.<br />

ZCS (Bild 5.9.5):<br />

--<br />

Kommutierung beginnt mit einem aktiven Einschaltvorgang, entlastbar durch seriell zum Schalter<br />

angeordnete Entlastungs-/Kommutierungsinduktivität L K<br />

,<br />

--<br />

Kommutierung endet mit einem passiven, verlustarmen Ausschaltvorgang bei einem Schalterstrom<br />

i s<br />

≈ 0,<br />

--<br />

vor dem nächsten Kommutierungsvorgang polt sich die Spannungsrichtung im eingeschalteten<br />

Schalter mit eingeprägtem dv/dt um,<br />

--<br />

Kapazität im Kommutierungskreis C K<br />

sollte auf minimalem Wert sein.<br />

Voraussetzung für das fortlaufend weiche Schalten ist, dass in einem Kommutierungskreis eines<br />

Umrichters nur eine Art der Kommutierung – induktive Kommutierung/ZCS oder kapazitive Kommutierung/ZVS<br />

– abläuft. Durch diese Einschränkung geht gegenüber dem harten Schalten ein<br />

Steuerfreiheitsgrad für die Schaltung verloren.<br />

Das wird nur erreicht, wenn zwischen zwei gleichartigen Kommutierungsvorgängen eine Umpolung<br />

der treibenden Kommutierungsspannung v K<br />

oder des aus dem Kommutierungskreis fließenden Stromes<br />

i L<br />

erfolgt.<br />

i S<br />

ON<br />

forward<br />

on-state<br />

hard<br />

turn-on<br />

hard<br />

turn-off<br />

S 1<br />

OFF<br />

OFF<br />

reverse<br />

blocking<br />

forward<br />

blocking<br />

v S<br />

v K<br />

(v<br />

DC)<br />

i L<br />

(i<br />

AC)<br />

i S<br />

reverse<br />

on-state<br />

ON<br />

v S<br />

S 2<br />

Voltage Source Inverter (VSI)<br />

Bild 5.9.2 Arbeitspunktverlauf von Schalterstrom und -spannung beim harten Schalten (IGBT, MOSFET)<br />

und dreiphasiger Spannungswechselrichter als typisches Schaltungsbeispiel<br />

Heute am Markt verfügbare IGBT, MOSFET und Dioden sind nahezu ausschließlich für hart schaltende<br />

Anwendungen entwickelt und optimiert und weisen für diesen Einsatzfall qualitativ vergleichbare<br />

Eigenschaften auf (Bild 5.9.2).<br />

Umfangreiche Untersuchungen ([74], [76], [77]) haben in den vergangenen Jahren gezeigt, dass<br />

sich das Verhalten verschiedener Bauelementestrukturen bzw. -technologien unter den Bedingungen<br />

des weichen Schaltens deutlich voneinander unterscheidet (vgl. Kap. 5.9.3.3.).<br />

Diese Unterschiede sind jedoch für den Anwender aus den verfügbaren Standarddatenblattangaben<br />

nicht erkennbar.<br />

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