Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
V CE max
Detection
Driver
V CE-
Controlsignal
V CE max
V CE-
Detection
Driver
Bild 5.8.22 Aktive Spannungsbegrenzung/active clamping
Master-Slave-Konzepte
Eine Abwandlung des bereits seit langem aus der Thyristortechnik bekannten Master-Slave-
Prinzips [71] kann ebenfalls zur dynamischen Spannungssymmetrierung eingesetzt werden (Bild
5.8.23). Nur der untere Schalter (Master) besitzt eine komplette Ansteuerschaltung mit Hilfsenergieversorgung
und potentialgetrenntem Steuerimpulseingang. Darin liegt der wesentliche Vorteil
dieser Technik. Die Ansteuerschaltung der oberen Schalter (Slave) besteht im Prinzip lediglich
aus der Endstufe. Die Entkopplung zwischen Master und Slave übernimmt eine hochsperrende
Diode. Der Slave schaltet ein, sobald sein Emitterpotential soweit abgesunken ist, dass die Entkopplungsdiode
einschalten kann, d.h. zeitlich etwas versetzt. Das Ausschalten des Slave erfolgt
mit dem Sperren der Entkopplungsdiode. Es können prinzipiell mehrere Slaves übereinander kaskadiert
werden. Während die Ausschaltsymmetrierung durch dieses Prinzip sehr gut gewährleistet
werden kann, bestehen starke Einschränkungen in der Einschaltsymmetrie. Deshalb ist es sinnvoll,
das Master-Slave-Konzept mit dem active clamping zu kombinieren. Der Nachteil der eingeschränkten
Einschaltsymmetrie tritt bei ZVS-Anwendungen in den Hintergrund.
Slave
Driver
Controlsignal
Master
Driver
Bild 5.8.23 Grundprinzip des Master-Slave-Konzeptes
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