Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
V CE ref
Controlsignal
VCE-
Detection
Driver
Delay
t d(ON)
t d(OFF)
V CE-
V CE ref
Detection
Driver
Delay
t d(ON)
t d(OFF)
Bild 5.8.20 Prinzip der Schaltzeitenkorrektur
Dynamische Symmetrierung durch dv/dt, di/dt – Regelung
Bei der dv/dt-Regelung (Bild 5.8.21) wird in der Ansteuerung ein Referenzwert für die Spannungsänderungsgeschwindigkeit
der Einzelmodule beim Ein- und Ausschalten mit den Ist-Werten verglichen
und die Differenz auf die Treiberendstufe geführt. Ein Problem dabei ist die genaue und
reproduzierbare kapazitive Aus- bzw. Rückkopplung der dv/dt-Istwerte. Ist der dv/dt-Referenzwert
kleiner als die „natürliche“ Spannungsänderungsgeschwindigkeit beim harten Schalten, entstehen
Zusatzverluste in den Leistungstransistoren. Ein erhöhter Treiberaufwand ist notwendig, wobei
kein Standardtreiber verwendet werden kann. Nach ähnlichem Prinzip ist auch eine di/dt-Regelung
mit induktiver Auskopplung der Stromänderungsgeschwindigkeit der IGBT/MOSFET realisierbar
[66], [67].
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