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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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2 Grundlagen<br />

Zünden durch Licht oder zu hohe Temperatur<br />

Lichteinstrahlung erzeugt Ladungsträgerpaare, die in der Raumladungszone getrennt werden und<br />

über den pn-Übergang zur Kathode fließen. Sie wirken daher als Zündstrom. Dasselbe gilt für<br />

thermisch erzeugte Ladungsträgerpaare.<br />

Ausschaltverhalten<br />

Ähnlich wie bei Netzdioden (Kap. 2.2.1.4) wird auch beim Thyristor beim Fließen eines Vorwärtsstromes<br />

das Volumen des Halbleiters durch Ladungsträger überschwemmt, die beim Umpolen<br />

der Spannung in die Sperrrichtung erst weitgehend abgebaut werden müssen, bevor der Thyristor<br />

Spannung in Sperrrichtung aufnehmen kann. Allerdings befinden sich auch dann noch Restladungsträger<br />

im Halbleitervolumen, die zum Zünden des Thyristors führen können, wenn Spannung<br />

in Vorwärtsrichtung angelegt wird.<br />

Als Freiwerdezeit t q<br />

bezeichnet man die Zeit vom Stromnulldurchgang bis wieder Blockierspannung<br />

angelegt werden kann, ohne dass der Thyristor erneut zündet (Bild 2.2.13). Die typische Freiwerdezeit<br />

t q<br />

von Thyristoren beträgt etwa 100 bis 500 µs. Schnelle Thyristoren (Frequenzthyristoren)<br />

sind solche, bei denen die Freiwerdezeit durch Reduzierung der Trägerlebensdauer auf 10<br />

bis 100 µs verkürzt wurde. Nähere Angaben über die Abhängigkeit der Freiwerdezeit von den Parametern<br />

erfolgen in Kap. 3.2.5.2. Die Kennwerte werden im Kap. 3 „Datenblattangaben“ erläutert.<br />

i, v<br />

Voltage v T<br />

Current i T<br />

t q<br />

t<br />

Bild 2.2.13 Verlauf von Strom i T<br />

und Spannung v T<br />

eines Thyristors beim Ausschalten und Freiwerdezeit t q<br />

2.3 Freilauf- und Beschaltungsdioden<br />

2.3.1 Aufbau und prinzipielle Funktion<br />

Moderne schnelle Schalter benötigen schnelle Dioden als Freilaufdioden im Leistungskreis. In den<br />

vorwiegend auftretenden Anwendungen mit induktiver Last wird die Freilaufdiode bei jedem Einschaltvorgang<br />

des Schalters vom leitenden in den sperrenden Zustand kommutiert. Das Ausräumen<br />

der Speicherladung soll dabei sanft erfolgen, um induzierte Spannungsspitzen und hochfrequente<br />

Oszillationen zu vermeiden. Deshalb werden die Dioden auch als Soft-Recovery-Dioden<br />

bezeichnet. Sie sind mitbestimmend für die Leistungsfähigkeit des Schalters. Bei ihrem Design<br />

müssen Kompromisse gegensätzlicher Anforderungen gefunden werden. Für schnelle Leistungsdioden<br />

sind zwei Haupttypen zu unterscheiden: die Schottky-Diode und pin-Dioden in epitaxialer<br />

oder diffundierter Bauform.<br />

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