Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
triebsarbeitspunkt des Umrichters verändert. Deshalb ist bei der Dimensionierung der „worst case“
anzusetzen (Überstrom, Kurzschluss, hohe di/dt).
Active Clamping [37], [73]
Unter dem Begriff „active clamping“ MOS-gesteuerter Transistoren versteht man die direkte Rückkopplung
des Kollektor-/Drain-Potentials auf das Gate über ein Element mit Zener-Charakteristik.
Bild 5.7.15 zeigt das Grundprinzip und Realisierungsvarianten am Beispiel eines IGBT-Schalters.
V -
v GE
D
R Goff
L K
A
C
v CE
B Z
i Z
s
i
a)
Z
Variant A Variant B Variant C Variant D Variant E
A
A
A
A
i Z
i Ź i Z
i Ź i Z
A
i Z
T n Z n i TA Z n i TA i Z
R
Z Gn
n
D n
Z 1
T A
Z 1
T A
Z 1
R G1
T 1 R GA
R GA
D 1
b)
B
B
B
B
B
Bild 5.7.15 Grundprinzip und Varianten des Active Clamping
Der Rückkoppelzweig besteht aus einem Zenerelement Z und einer in Reihe dazu angeordneten
Diode D s
, die im eingeschalteten Zustand des IGBT einen Stromfluss von der Treiberstufe in den
Kollektor verhindert.
Überschreitet die Kollektor-Emitter-Spannung die Durchbruchspannung des Zenerelementes, fließt
ein Strom über die Rückkopplung in das Gate des IGBT und hebt dessen Potential auf einen Wert
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