Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
verringert werden. Dafür geeignete Schaltungsvarianten werden im Kap. 5.7.3.2 gezeigt.
Neben der Begrenzung der dynamischen Kurzschlussstromüberhöhung kann der stationäre Kurzschlussstrom
durch Absenkung der Gate-Emitter-Spannung gesenkt werden (vgl. Bild 5.7.7 im Kap.
5.7.2). Dadurch werden die Transistorverluste während der Kurzschlussphase verringert. Gleichzeitig
reduziert sich die Überspannung, da ein niedrigerer Kurzschlussstromwert abgeschaltet werden
muss. Das Prinzip zeigt Bild 5.7.11.
i C
v Driver
R G
M1
i G
i M1
v GE
R 1
v CE
R Sense
Bild 5.7.11 Kurzschlussstrombegrenzung durch Absenkung der Gate-Emitter-Spannung [37]
In praktischen Realisierungsbeispielen wird durch diese Schutztechnik der stationäre Kurzschlussstrom
auf etwa den 2,5...3fachen Wert des Nennstromes begrenzt.
5.7.3.2 Überspannungsbegrenzung
Überspannungsbegrenzung zwischen den Hauptanschlüssen [72]
Die Maßnahmen zur Spannungsbegrenzung zwischen den Hauptanschlüssen (Kollektor-Emitter-
Spannung, Zwischenkreisspannung) von Leistungsmodulen können in passive Beschaltungsnetzwerke,
active clamping und dynamische Gatesteuerung unterteilt werden.
Unabhängig von der Art der Überspannungsbegrenzung kann beim Einsatz von MOSFET gegebenenfalls
deren Avalanche-Betrieb ausgenutzt werden. Hierzu in Datenblättern angegebene Grenzwerte
sind unbedingt zu beachten. Zusätzlich ist die Eignung des Avalanche-Betriebs für die beabsichtigte
Applikation beim Hersteller zu erfragen und freizugeben.
Passive Beschaltungsnetzwerke (Snubber)
Passive Beschaltungsnetzwerke (Snubber) sind Kombinationen aus passiven Elementen wie R, L,
C, Suppressordioden, Dioden, Varistoren usw.
Eine Zusammenstellung einfacher und häufig eingesetzter Schaltungen zeigt Bild 5.7.12.
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