Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

2 Grundlagen
Auxiliary
thyristor
Main thyristor
Gate
Hybrid auxiliary thyristor
Integrated auxiliary thyristor
Finger like auxiliary thyristor
Bild 2.2.11 Verstärkung der Zündenergie durch die Integration eines Hilfsthyristors (Amplifying Gate)
Eine weitere Verbesserung des (di/dt) cr
erzielt man durch fingerförmige Ausbildung des Amplifying
Gates, die die Randlänge zwischen Hilfs- und Hauptthyristor verlängert. Allerdings verliert man
dabei an aktiver Emitterfläche, die Strombelastbarkeit wird verringert.
Zünden durch den kapazitiven Verschiebungsstrom (dv/dt – Zünden)
Jeder pn-Übergang stellt eine spannungsabhängige Kapazität dar. Ohne anliegende Spannung
ist diese am größten, und sie sinkt, je höher die angelegte Sperrspannung ist. Bei Änderungen
der Spannung (hohem dv/dt) fließt ein kapazitiver Verschiebungsstrom über den pn-Übergang. Ist
dieser hoch genug, so kann er wie jeder Strom über den p-Basis-Emitter-Übergang das Zünden
des Thyristors bewirken.
Zünden durch Überschreiten der Kippspannung („Über Kopf“-Zünden)
Beim Überschreiten der Kippspannung (Bild 2.2.12) wird der Sperrstrom so hoch, dass er zum
Zünden des Thyristors ausreicht. Da der Sperrstrom mit der Temperatur ansteigt und der erforderliche
Zündstrom mit der Temperatur kleiner wird, sinkt die Kippspannung mit steigender Temperatur.
I
Holding current
Conducting
Forward break through
Reverse blocking
Forward blocking
V AK
Forward breakover voltage
Bild 2.2.12 Zünden eines Thyristors durch das Überschreiten der Kippspannung
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