Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module -- Kurzschlussschutz auf Basis einer V CEsat -Überwachung (Referenzwert bei 13 V) -- Überwachung der Treiberversorgungsspannung -- Fehlerspeicher mit Fehlerrückmeldung und RESET-Funktion -- Einstellbare Totzeit (Zweigverriegelungszeit) zwischen TOP- und BOTTOM-Ansteuerung bei den Treibern mit 2 oder mehr Kanälen -- Kurzimpulsunterdrückung Bild 5.6.14 Platinenansicht der Treiberstufe SKHI10 1 2 INPUT Vin INPUT 2 LEVEL BUFFER SELECTOR 15V 5V J1 3 RESET 4 ERROR 3 J3 MEMORY ERROR Vs 4 +15V Vs Vs 8.9 0V MONITOR 10.11 0 1 primary side ISOLATION 5 Vs DC/DC CONVERTER +15V 6 - 8V 7 OUTPUT BUFFER IRgoff secondary side VCE MONITORING 9 VCE RCE 8 SOFT TURN-OFF Rgon J2 CCE Rgoff SC Gon Goff Rgoff E 10 5 3 2 1 Bild 5.6.15 Blockschaltbild der Treiberstufe SKHI10 In den IGBT-Treibern SKYPER 32, SKYPER 32 PRO und SKYPER 52 sind u.a. folgende Funktionalitäten integriert: -- interne magnetische Impulsübertrager für die Potentialtrennung der Steuer- und Statussignale -- internes Schaltnetzteil mit Potentialtrennung für die Treiberversorgung -- Kurzschlussschutz auf Basis einer V CEsat -Überwachung -- Überwachung der Treiberversorgungsspannung -- Totzeit (Zweigverriegelungszeit) zwischen TOP- und BOTTOM-Ansteuerung (bei SKYPER 32 nicht veränderbar) -- Kurzimpulsunterdrückung -- Fehlermanagement, Fehlerein- und -ausgänge 357
5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module Spezielle Funktionalitäten des Treibers SKYPER 32 PRO sind u.a.: -- Treiber-Unterspannungsüberwachung auf der Primär- und Sekundärseite -- HALT Logiksignal -- digitale Parametrierung der Zweigverriegelungszeit -- externer Fehlereingang -- parametrierbares Soft Turn-off im Fehlerfall -- lackierte PCB Spezielle Funktionalitäten des Treibers SKYPER 52 sind u.a.: -- vollständig digitale Signalverarbeitung -- Treiber-Unterspannungsüberwachung auf der Primär- und Sekundärseite -- HALT Logiksignal -- gemeinsames shut-down-Signal -- potentialfreie Übertragung eines Temperatursignals von der TOP-Seite auf die Primärseite -- Gate-Spannungs-Clamping -- Unterdrückung von Eingangssteuersignalfrequenzen > 100 kHz -- mehrstufiges/gestaffeltes Ausschalten zur Optimierung von Schaltzeit und Schaltüberspannung -- Soft Turn-off im Fehlerfall -- Status-LEDs -- lackierte PCB Bild 5.6.16 Platinenansicht der Treiberstufe SKYPER 52 R Bild 5.6.17 Blockschaltbild der Treiberstufe SKYPER 52 R 358
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte...................
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5.2.3.4 Bauelementauswahl..........
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1 Betriebsweise von Leistungshalble
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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2 Grundlagen Glass passivation Anod
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2 Grundlagen I F 0.1 I F v V FRM ma
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2 Grundlagen Die Stromverstärkunge
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2 Grundlagen Die Höhe der Rekombin
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2 Grundlagen D A np 2 n p kT q
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2 Grundlagen Einschaltüberspannung
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2 Grundlagen 1000 950 900 Platinum-
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2 Grundlagen 1200V I RRM Diode V IG
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2 Grundlagen 2.3.3.3 Dynamische Rob
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2 Grundlagen B´ SiO 2 p + Emitter
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2 Grundlagen Symbol Bezeichnung phy
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2 Grundlagen -aktiver Arbeitsbereic
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2 Grundlagen v GS, vGE V GG V GE(pl
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2 Grundlagen Einschalten: Schaltzei
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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2 Grundlagen Bild 2.4.11 Struktur e
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2 Grundlagen Das Schaltungsprinzip
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2 Grundlagen 2.4.3.1 Statisches Ver
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2 Grundlagen 2.5.1.3 Drahtbonden Be
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2 Grundlagen schlüsse realisiert.
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2 Grundlagen Bodenplatte Solche Mod
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2 Grundlagen Bei den keramischen Is
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2 Grundlagen Material Wärmeleitfä
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2 Grundlagen 40.00 35.00 Copper Chi
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2 Grundlagen Baseplate Module a) pr
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2 Grundlagen Wärmekopplung Aufgrun
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2 Grundlagen 2.5.2.3 Lastwechselfes
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2 Grundlagen solche Konstruktion is
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2 Grundlagen ausgesprochenen Massen
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2 Grundlagen 2.5.3 Diskrete Bauelem
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2 Grundlagen Pressure piece welded
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2 Grundlagen ~Terminal +Terminal -T
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2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
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2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen tung auf der DCB und d
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2 Grundlagen First compensating coi
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2 Grundlagen Bei Modulen sind die S
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2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
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2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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2 Grundlagen Climatic chamber T max
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2 Grundlagen Bild 2.7.5 Prinzipzeic
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2 Grundlagen gen im Sekundenbereich
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2 Grundlagen der Auswertung einer V
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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6 Handhabung und Umweltbedingungen
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7 Software als Dimensionierungshilf
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Literaturverzeichnis [17] Lutz, J.:
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