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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module C ps1 V S P 7 input 2 (BOTTOM) prim signal BOTTOM sec BOTTOM S 1 S 9 output 2 input 1 (TOP) P 14 internal power supply signal TOP sec TOP C SS S 20 output 1 C ps2 Bild 5.6.13 Äquivalente wirksame Gesamtkoppelkapazitäten in einem Halbbrückentreiber mit Potentialtrennung (schematische Darstellung) C ps1 : Kapazität zwischen Primär- und BOTTOM-Sekundärseite C ps2 : Kapazität zwischen Primär- und TOP-Sekundärseite C ss : Kapazität zwischen TOP- und BOTTOM-Sekundärseite 5.6.6.1 Ansteuer- und Statusrückmeldesignale Tabelle 5.6.1 enthält die heute am häufigsten angewandten Übertragungsprinzipien für Ansteuerund Statusrückmeldesignale mit und ohne galvanischer Potentialtrennung und deren wichtigste Eigenschaften. 353
5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module Ausführung Impulsübertrager mit Magnetkern (konventionell) Impulsübertrager ohne Magnetkern (coreless transformer) Optokoppler Lichtwellenleiter Prinzip der Potentialtrennung magnetisch optisch/ Optokoppler optisch/ Lichtwellenleiter Galvanische Trennung ja ja ja Übertragungsrichtungen bidirektional unidirektional unidirektional Toleranz der Eigenverzögerungszeiten klein groß groß Beeinflussbarkeit durch magnetisches Feld + - - Beeinflussbarkeit durch elektrisches Feld - - - dv/dt-Festigkeit (Angaben aus Datenblattbeispielen) 35..50..100 kV/µs 15..25 kV/µs n.a. Ausführung Prinzip der Potentialtrennung GMR-Übertrager (Giant Magnetic Resistance) kapazitiver Übertrager Level-Shifter magnetisch kapazitiv Stromquelle Galvanische Trennung ja ja nein Übertragungsrichtungen unidirektional unidirektional unidirektional Toleranz der Eigenverzögerungszeiten klein klein klein Beeinflussbarkeit durch magnetisches Feld + - - Beeinflussbarkeit durch elektrisches Feld - + - dv/dt-Festigkeit (Angaben aus Datenblattbeispielen) ..30.. kV/µs 25..50 kV/µs 35..50 kV/µs Tabelle 5.6.1 Übertragungsprinzipien für Ansteuer- und Statusrückmeldesignale Analoge Messwerte können pulsweitenmoduliert über Potentialtrennstellen vom Treiber zur übergeordneten Steuerung zurückübertragen werden. 5.6.6.2 Ansteuerleistung Die häufig angewandten Lösungen zur potentialgetrennten Übertragung der Ansteuerleistung zum Treiber fasst Tabelle 5.6.2 zusammen: 354
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte...................
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5.2.3.4 Bauelementauswahl..........
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1 Betriebsweise von Leistungshalble
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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2 Grundlagen Glass passivation Anod
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2 Grundlagen I F 0.1 I F v V FRM ma
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2 Grundlagen Rückwärtsstrom Der
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2 Grundlagen Die Stromverstärkunge
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2 Grundlagen Auxiliary thyristor Ma
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2 Grundlagen D A np 2 n p kT q
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2 Grundlagen Einschaltüberspannung
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2 Grundlagen 1000 950 900 Platinum-
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2 Grundlagen a) b) Bild 2.3.13 a) A
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2 Grundlagen 1200V I RRM Diode V IG
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2 Grundlagen 2.3.3.3 Dynamische Rob
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2 Grundlagen B´ SiO 2 p + Emitter
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2 Grundlagen Symbol Bezeichnung phy
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2 Grundlagen -aktiver Arbeitsbereic
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2 Grundlagen v GS, vGE V GG V GE(pl
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2 Grundlagen Einschalten: Schaltzei
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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2 Grundlagen Bild 2.4.11 Struktur e
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2 Grundlagen Das Schaltungsprinzip
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2 Grundlagen 2.4.3.1 Statisches Ver
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2 Grundlagen Source Gate Source Al
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2 Grundlagen Eingangskapazität Rü
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2 Grundlagen 2.5.1.3 Drahtbonden Be
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2 Grundlagen schlüsse realisiert.
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2 Grundlagen Bodenplatte Solche Mod
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2 Grundlagen Bei den keramischen Is
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2 Grundlagen Material Wärmeleitfä
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2 Grundlagen 40.00 35.00 Copper Chi
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2 Grundlagen Baseplate Module a) pr
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2 Grundlagen ausgesprochenen Massen
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2 Grundlagen 2.5.3 Diskrete Bauelem
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2 Grundlagen Pressure piece welded
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2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
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2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen tung auf der DCB und d
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2 Grundlagen First compensating coi
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2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
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2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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2 Grundlagen Climatic chamber T max
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2 Grundlagen -- Einsatz von AlN-Sub
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2 Grundlagen der Auswertung einer V
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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6 Handhabung und Umweltbedingungen
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7 Software als Dimensionierungshilf
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