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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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2 Grundlagen<br />

Die Stromverstärkungen der Transistoren sind stromabhängig. Sobald der Strom in der Gatezone<br />

so hoch ist, dass die Summe der Stromverstärkungen (in Basisschaltung) α npn<br />

+ α pnp<br />

≥ 1 wird, wird<br />

der Strom über alle Maßen verstärkt, der Thyristor zündet, das heißt, er geht in den Durchlasszustand.<br />

Es reicht schon ein kurzer Stromimpuls (beispielsweise 10 µs lang) ins Gate, um den<br />

Thyristor zu zünden. Hat am Ende des Zündimpulses der Hauptstrom den Einraststrom I L<br />

überschritten,<br />

so bleibt der Thyristor im Durchlasszustand. Erst wenn der Hauptstrom den Haltestrom<br />

I H<br />

unterschreitet, geht der Thyristor wieder in den Vorwärts-Sperrzustand (Blockierzustand) über<br />

(siehe Kap. 2.2.2.3). Jeder Strom, der über den pn-Übergang vom Gate zur Kathode fließt, wirkt,<br />

wenn er nur hoch genug ist, als Zündstrom:<br />

--<br />

externer Zündstrom vom Gate zur Kathode<br />

--<br />

Sperrstrom durch Überschreiten der maximalen Blockierspannung (Kippspannung) („Über Kopf<br />

Zünden“, Kippen)<br />

--<br />

durch Lichteinstrahlung in der Raumladungszone generierter Strom (Lichtzündung)<br />

--<br />

zu hohe Temperatur (thermisch generierter Sperrstrom)<br />

--<br />

kapazitiver Verschiebungsstrom durch steil ansteigende Anodenspannung (dv/dt).<br />

2.2.2.3 Statisches Verhalten<br />

Durchlassverhalten<br />

Das Durchlassverhalten von Thyristoren entspricht dem von Dioden. Mit der angelegten Vorwärtsspannung<br />

steigt der Strom steil an, sobald die Schleusenspannung erreicht ist (Bild 2.2.6). Erst<br />

bei sehr hohen Strömen, die weit über dem zulässigen Dauerstrom liegen, flacht sich die Durchlasskurve<br />

wieder etwas ab. Bei niedrigen und mittleren Strömen ist der Temperaturkoeffizient der<br />

Durchlassspannung negativ, das heißt, die Durchlassspannung ist bei konstantem Strom umso<br />

niedriger, je höher die Temperatur ist. Bei sehr hohen Strömen ist das Verhalten umgekehrt.<br />

Beim Fließen des Durchlassstromes entstehen Durchlassverluste (= Durchlassstrom x Durchlassspannung),<br />

die den Thyristor erwärmen. Diese Erwärmung begrenzt den Vorwärtsstrom, da eine<br />

zu hohe Erwärmung den Thyristor beschädigen kann.<br />

Sperrverhalten<br />

Legt man Spannung in Sperrrichtung an einen Thyristor, so steigt der Sperrstrom zuerst an, um<br />

schon bei einer angelegten Spannung von wenigen Volt einen Wert zu erreichen, der mit steigender<br />

Spannung kaum mehr ansteigt. Der Sperrstrom ist stark temperaturabhängig und steigt mit der<br />

Temperatur an. Erhöht man die in Sperrrichtung angelegte Spannung in den Durchbruchbereich<br />

(Bild 2.2.6), so steigt der Sperrstrom durch den Avalanche-Effekt (siehe Kap. 2.2.1.3) steil an.<br />

Legt man Spannung in Vorwärtsrichtung an einen Thyristor, so verhält er sich zuerst wie in<br />

Sperrrichtung. Wird die Kippspannung erreicht, so „kippt“ der Thyristor in den Durchlasszustand<br />

und bleibt in diesem, bis der Halterstrom unterschritten wird. Auch der Sperrstrom in Vorwärtsrichtung<br />

ist temperaturabhängig. Diese Abhängigkeit kann für die individuellen Thyristoren sehr<br />

unterschiedlich sein. Meist ist der Sperrstrom bei hohen Temperaturen in Vorwärtsrichtung höher<br />

als in Sperrrichtung. Ursache ist in der Regel die Verstärkung des Sperrstromes durch den<br />

npn-Transistor, für den der Sperrstrom einen Basisstrom darstellt. Hohe Sperrströme in Vorwärtsrichtung<br />

beeinträchtigen die Funktion und die Zuverlässigkeit des Thyristors nicht und sind kein<br />

qualitätsminderndes Merkmal. Die auftretenden Verluste (= Sperrspannung x Sperrstrom) sind<br />

unter normalen Betriebsbedingungen so klein, dass sie bei der Berechnung der Gesamtverluste<br />

vernachlässigt werden können.<br />

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