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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module Luft- und wassergekühlte SKiiPSTACK dieser Konstruktion haben das gleiche grundsätzliche Design. Mit SKiiP3 kann derzeit (einschließlich Parallelschaltung) der Leistungsbereich 450 kW…2,5 MW abgedeckt werden. Die Grundeinheiten besitzen die Topologie B6CI (3-phasiger Inverter) und forcierte Luft- oder Wasserkühlung. Bild 5.5.6 zeigt einen 4Q-Inverter aus 2 Grundeinheiten mit Luftkühlung, geeignet für den Einbau in einen Standardschaltschrank mit 600 mm Breite und 600 mm Tiefe. Bild 5.5.6 4Q-Inverter mit Luftkühlung Bestückt mit 4-fach SKiiP beträgt die Einbauhöhe 1400 mm, so dass z.B. in einem 2000 mm hohen Schrank noch weitere Bauteile angeordnet werden können, z.B. Filterdrosseln. Die Grundeinheiten können auch mit 3-fach oder 2-fach SKiiP bestückt werden. Bild 5.5.7 zeigt beispielhaft auf Basis SKiiP3 die mit den unterschiedlichen Bestückungen und Parallelschaltungen möglichen Ströme und Anlagenleistungen. Bild 5.5.7 Mögliche Ausgangsströme und Anlagenleistungen von SKiiPSTACK mit SKiiP3 337
5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module 5.5.2.3 Beispiele für Plattformprodukte für netzgeführte Schaltungen mit Thyristoren oder Dioden Auf Basis unterschiedlicher SEMIKRON-Standardkühlkörperprofile für Luftkühlung bestehen verschiedene Plattformen für Thyristor- und Diodenmodule sowie Schraub- und Scheibenthyristoren/- dioden. Die Plattformen unterscheiden sich in der abführbaren Verlustleistung, der Wärmeabführung (freie Konvektion oder Zwangskühlung mit Lüfter), der Bestückungsmöglichkeit mit verschiedenen Bauteilreihen und ihrer Geometrie. Bild 5.5.8 zeigt Beispiele für solche Plattformprodukte. Px120 P3 P16 P1 N4 P11 Bild 5.5.8 Beispiele für Plattformprodukte für netzgeführte Schaltungen mit Thyristoren und Dioden Erklärungen zum Bezeichnungsschlüssel der SEMISTACK für netzgeführte Schaltungen sowie zum Inhalt der Datenblätter enthält der /SEMISTACK® DATASHEETS Basic Explanation Guide/ unter www.semikron.com, wo auch eine zur Erfassung der Anforderungen an eine Solution geeignete Checkliste zugänglich ist, die u.a. folgende Punkte strukturiert: -- Applikationsgebiet, Leistungsflussrichtung(en), Schaltungsstruktur, Funktionsumfang -- Einbauraum (Größe, Gewicht), Besonderheiten (Schwingungs-, Stoßbelastung, ...) -- Eingang (Netz, Generator, Batterie,...), Eingangsspannungsbereich, cos j, Besonderheiten bei Netzrückspeisung: Grundfrequenz, Pulsfrequenz, Zwischenkreisspannung -- Ausgang (Netz, Transformator, DC-Maschine, AC-Maschine, Reluktanzmotor,...), Ausgangsspannungsbereich, Ausgangsstrom, cos j , Überlast (wie hoch/wie lange/wie oft), Grundfrequenz (min./max.), Strom bei min. Grundfrequenz, Pulsfrequenz, Lastspiel (Strom, Spannung, Frequenz, cos j als Funktion der Zeit) -- Zwischenkreis (Elektrolyt- oder Polypropylen-Kondensatoren), Nennspannung, min./max. Kapazität, höchste Zwischenkreisspannung, Umgebungstemperatur für Zwischenkreis -- Isolationsprüfspannungen, Schutzart -- Treiber, Treiber-Schnittstelle (transformatorisch, optisch), Optionen (Strom-, Temperatur, Zwischenkreisspannungsmessung) -- Kühlung: Umgebungstemperatur/Kühlmitteltemperatur min./max; bei natürlicher forcierter Luftkühlung: mögliche Luftmenge, zulässiger Geräuschpegel -- bei Flüssigkeitskühlung: Kühlmedium (Frostschutz, Menge, Durchsatz) -- Lagertemperatur, besondere klimatische Forderungen, extreme Einbauhöhe über NN -- erforderliche Lebensdauer (Leistungsmodule, Zwischenkreiskondensatoren) 338
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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2 Grundlagen I F 0.1 I F v V FRM ma
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
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2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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2 Grundlagen Climatic chamber T max
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2 Grundlagen gen im Sekundenbereich
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2 Grundlagen der Auswertung einer V
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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7 Software als Dimensionierungshilf
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Literaturverzeichnis [17] Lutz, J.:
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