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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

Bild 5.4.5 Typische Verläufe von Schalterspannung (oben in V) und Schalterstrom (unten in A) eines<br />

IGBT-Schalters [38]<br />

Bild 5.4.6 zeigt am Beispiel aus [38] simulierte Ergebnisse auf Basis des Modells in Bild 5.4.4, die<br />

eine sehr gute Übereinstimmung mit der Messung aufweisen.<br />

EMI-Spectrum OP 450 V / 20 A / 5 kHz<br />

100 mV<br />

100dBµV<br />

1.0 mV<br />

60dBµV<br />

+V Z -V Z<br />

10 µV<br />

20dBµV<br />

10 kHZ 100 kHZ 1.0 MHZ 10 MHZ 30 MHZ<br />

Frequency<br />

a)<br />

I S /A<br />

48<br />

20<br />

14<br />

Switch Current<br />

d)<br />

i D<br />

i <br />

i T<br />

V S /V<br />

450 V<br />

Switch Voltage<br />

20 ns<br />

150 ns 130 ns<br />

b)<br />

Fourier-Analysis of Current<br />

e)<br />

Fourier-Analysis of Voltage<br />

10 A<br />

100 mA<br />

10 V<br />

100 mV<br />

f g<br />

1.0 mA<br />

1.0 mV<br />

V S<br />

10 µA<br />

10 kHz 100 kHz 1.0 MHz 10 MHz 30 MHz<br />

10 µV<br />

10 kHz 100 kHz 1.0 MHz 10 MHz 30 MHz<br />

Frequency<br />

Frequency<br />

c) Differential Mode Spectrum<br />

f)<br />

Common Mode Spectrum<br />

100 mV<br />

100dBµV<br />

100 mV<br />

100dBµV<br />

1.0 mV<br />

60dBµV<br />

1.0 mV<br />

60dBµV<br />

+V Z -V Z +V Z -V Z<br />

10 µV<br />

20dBµV<br />

10 kHz 100 kHz 1.0 MHz 10 MHz 30 MHz<br />

Frequency<br />

10 µV<br />

20dBµV<br />

10 kHz 100 kHz 1.0 MHz 10 MHz 30 MHz<br />

Frequency<br />

Bild 5.4.6 Simulationsergebnisse mit 1200 V/50 A NPT-IGBT Zweigmodul<br />

Arbeitspunkt: Zwischenkreisspannung V Z<br />

= 450 V; Laststrom = 20 A<br />

Pulsfrequenz = 5 kHz<br />

330

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