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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

Network 1<br />

i dm<br />

L K<br />

C K<br />

Module<br />

2<br />

Network 2<br />

i cm1<br />

S 1<br />

2<br />

i L<br />

V K<br />

i dm<br />

i cm2<br />

L K<br />

2<br />

S 2<br />

C K<br />

2<br />

Baseplate<br />

i cm<br />

Z ch<br />

Z N1<br />

Z´N1<br />

Z´N2<br />

Z N2<br />

Heatsink<br />

Z hg<br />

Bild 5.4.3 Ersatzkommutierungskreis mit Störausbreitungswegen [60]<br />

GROUND<br />

Bei einer induktiven Kommutierung schaltet der Schalter S1 auf den leitenden Schalter S2.<br />

Bei einem harten Schaltvorgang (L K<br />

= L Kmin<br />

, C K<br />

= C Kmin<br />

) kommutiert zuerst der Strom mit einem durch<br />

die Halbleitereigenschaften von Schalter 1 vorgegebenen Anstieg. Die Kommutierung endet durch<br />

den Rückstromabriss von Schalter 2, dessen Verlauf gemeinsam mit der den Strom weiterführenden<br />

Induktivität und den wirksamen Kapazitäten C K<br />

die Spannungskommutierung und somit die Spannungsanstiege<br />

bestimmt. In die wirksamen Kapazitäten müssen dabei alle gegenüber dem neutralen<br />

Potential wirksamen Kapazitäten C ∑<br />

mit einbezogen werden. Gemeinsam mit den Impedanzen<br />

der Anschlusspunkte der Kommutierungsspannung gegenüber dem neutralen Potential wirken damit<br />

Parallelimpedanzen zu den Kommutierungskapazitäten. Der Stromanstieg von Schalter 1 zu<br />

Beginn der Kommutierung verursacht in der Kapazität der abgestützten Kommutierungsspannung<br />

und in dem parallelen Netzwerk 1 symmetrisch fließende Ströme i dm<br />

. Der durch den Rückstromabriss<br />

von Schalter 2 und der als Stromquelle wirkenden Induktivität L verursachte Spannungsanstieg<br />

am Ende der Kommutierung treibt durch die Parallelzweige zu den Kommutierungskapazitäten<br />

C K<br />

asymmetrisch über die Erdleitung fließende Ströme i cm<br />

.<br />

Ein Übergang zu weichen Einschaltvorgängen durch Vergrößerung von L K<br />

(ZCS-Schalter, Kap. 5.9)<br />

verringert den Stromanstieg und damit den symmetrischen Störstrom. Gleichzeitig wirken die vergrößerten<br />

L K<br />

in dem Stromkreis des asymmetrischen Störstromes. Die Steilheit des zu Beginn der<br />

Kommutierung wirksamen Spannungsanstieges wird durch die Einschalteigenschaften von Schalter<br />

S1 bestimmt. Den am Ende der Kommutierung einsetzenden Spannungssprung bestimmt das Rückstromverhalten<br />

von Schalter S2. Der Übergang zum weichen Schalten im ZCS-Mode verringert<br />

symmetrische Störströme und verändert das Frequenzspektrum der asymmetrischen Ströme, ohne<br />

dass eine wesentliche Verringerung zu erwarten ist, vgl. Kap. 5.9.<br />

Die kapazitive Kommutierung beginnt mit dem aktiven Ausschalten von Schalter S1.<br />

Bei hartem Schalten (C K<br />

= C Kmin<br />

) bestimmen die parallel zu den Kommutierungskapazitäten wirksamen<br />

Impedanzen zu dem neutralen Potential gemeinsam mit den Halbleitereigenschaften von S1<br />

die Höhe des asymmetrischen Störstromes. Die nach der Spannungskommutierung einsetzende<br />

Stromkommutierung und damit auch der symmetrische Störstrom werden sowohl durch das Ausschaltverhalten<br />

von S1 als auch durch das Einschaltverhalten von S2 bestimmt.<br />

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