Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
Process in the Converter
Power Conversion
(Main Function)
Noise Propagation
(parasitic)
Information Processing
(necessary)
Reactions to
Mains and Load
EMC
Energy Transmission
between Mains and Load
Noise Source of
Power Conversion
Noise Source of
Information Processing
Control of
Power Conversion
- High Power - Middle Power - Small Power - Small Power
- DC-Parameters,
Fundamental Harmonics
- Higher Harmonics - Higher Frequencies - Higher Frequencies
High-Energy-Processes
Low-Energy-Processes
Bild 5.4.2 Energetische Prozesse in Stromrichtern [60]
Dabei wird unterschieden in energiereichere Störungen auf Netz und Verbraucher im Frequenzbereich
zwischen der Grundschwingung und ca. 9 kHz und energieärmere Prozesse oberhalb von
9 kHz bis zu einem Frequenzbereich von ca. 30 MHz, ab dem eine Störabstrahlung und damit ein
nicht mehr leitungsgebundener Stromfluss einsetzt. Im unteren Frequenzbereich spricht man von
Stromrichternetzrückwirkungen, die bis ca. 2 kHz durch frequenzdiskrete Stromoberschwingungen
charakterisiert werden. Im Frequenzbereich darüber spricht man von Funkstörspannungen
bzw. Funkstörungen, die aufgrund der selektiven Messung als Störspannungsspektren in dB/mV
angegeben werden. Der Unterschied zwischen Begriffen wie Nullstrom, Ableitstrom oder asymmetrische
Funkstörspannung liegt lediglich in zugeordneten Frequenzbereichen und der Frequenzabhängigkeit
aller Schaltungsparameter. Da diese Frequenzabhängigkeit ebenso stetig ist wie der
Übergang zur Störungsabstrahlung, ergeben sich zwangsläufig relativ breite Übergangsbereiche.
5.4.2.2 Ursache der Störströme
Hauptursache für die elektromagnetischen Störungen ist die schaltende Arbeitsweise der Leistungshalbleiter.
Anhand des Ersatzkommutierungskreises im Bild 5.4.3 lassen sich die Ursachen
der Störungen erläutern.
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