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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

T j Cross section<br />

and heatsink:<br />

T s1<br />

T a<br />

T c<br />

T s2<br />

through a module<br />

Chip’s<br />

Ceramic (DCB)<br />

Base plate<br />

Thermal grease (TIM)<br />

Heatsink<br />

R th(j-c)<br />

R th(c-s)1<br />

R th(s-a)1<br />

R th(c-s)2<br />

R th(s-a)2<br />

Bild 5.3.5 Messpunkte T s1<br />

und T s2<br />

zur Bestimmung des R th(c-s)<br />

und R th(s-a)<br />

SEMIKRON spezifiziert bei Modulen mit Bodenplatte den R th(c-s)<br />

zu einem Messpunkt neben dem<br />

Modul an der Längsseite (ca. 1/3 von der Modulecke). An diesem Punkt T s1<br />

ist der Kühlkörper<br />

deutlich kühler als unter dem Modul, mit der Konsequenz, dass die Temperaturdifferenz DT (c-s)<br />

groß und DT (s-a)<br />

klein ist. Daraus folgt ein größerer Widerstand R th(c-s)1<br />

und ein kleinerer R th(s-a)1<br />

im<br />

Vergleich zur anderen Methode, bei der die Kühlkörpertemperatur T s2<br />

unter dem Modul gemessen<br />

wird (R th(c-s)2<br />

; R th(s-a)2<br />

). Der Unterschied wird um so größer, je besser der Kühlkörper die Wärme abführt<br />

(Wasserkühlung ↔ Luftkühlung). Der Vorteil der Methode 1 „neben dem Modul“ ist die leichtere<br />

Zugänglichkeit des Messpunktes im Aufbau. Es wird kein besonders präparierter Kühlkörper<br />

benötigt. Der Nachteil ist die Abhängigkeit des R th(c-s)<br />

von der Wärmespreizung im Kühlkörper.<br />

Für Vergleichsrechnungen zwischen Modulen verschiedener Hersteller sollte immer der gleiche<br />

Bezugspunkt verwendet werden. Näherungsweise kann angenommen werden R th(c-s)1<br />

≈ 2 · R th(c-s)2<br />

.<br />

Bei Modulen ohne Bodenplatte spezifiziert SEMIKRON den R th(j-s)<br />

zu einem Punkt unter dem Chip.<br />

Bei der Kühlkörpervermessung ist daher für bodenplattenlose Module die Methode 2 „unter dem<br />

Modul“ zu verwenden.<br />

5.3.3 Natürliche Luftkühlung (freie Konvektion)<br />

Natürliche Luftkühlung wird im unteren Leistungsbereich bis 50 W oder auch bei hohen Leistungen<br />

angewandt, wenn der Einsatz von Lüftern nicht möglich ist oder geräteseitig außerordentlich<br />

große Kühlflächen zur Verfügung stehen. Da der thermische Übergangswiderstand der Kühlkörper<br />

bei freier Konvektion meist höher als der innere thermische Widerstand der Leistungsmodule ist,<br />

fällt die Temperaturdifferenz zwischen Chip (125°C) und Kühlluft (45°C) zum großen Teil über dem<br />

Kühlkörper ab. In Modulnähe ist die Kühlkörpertemperatur mit z.B. 90...100°C meist höher als bei<br />

forcierter Luftkühlung. Bei der üblicherweise niedrigen Verlustleistung können Wurzel und Rippen<br />

relativ dünn sein, da die Wärmeleitfähigkeit die thermischen Eigenschaften nur mäßig beeinflusst.<br />

Die Rippenabstände müssen ausreichend groß sein, um ein günstiges Verhältnis zwischen Auftrieb<br />

(Temperatur-/Dichtegefälle) und Reibung der Luft zu erzielen. Eine Schwärzung des Kühlkörpers<br />

verbessert die Strahlungseigenschaften und damit den R th(s-a)<br />

um bis zu 25% in Abhängigkeit<br />

der Temperaturdifferenz zwischen Montagefläche und Umgebungsluft (zu weiteren Details siehe<br />

Kap. 4.2).<br />

5.3.4 Forcierte Luftkühlung<br />

Gegenüber natürlicher Kühlung kann der thermische Kühlkörperwiderstand durch forcierte Belüftung<br />

auf 1/5...1/15 verringert werden. Eine Gegenüberstellung der Verläufe von Z th(s-a)<br />

bis zum<br />

Erreichen des Endwertes R th(s-a)<br />

zeigt Bild 5.3.6 am Beispiel des SEMIKRON-Kühlkörpers P16 für<br />

verschiedene Kühlkörperlängen.<br />

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