Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
Bild 5.3.3 Effekt der besseren Verteilung der Wärmequellen auf der Kühlkörperoberfläche, Simulation der
Temperatur auf der Kühlkörperoberfläche
5.3.2.3 Lage der Wärmequellen zur Kühlrichtung
Der R th(s-a)
hängt neben Anzahl und Verteilung auch von der Lage der Wärmequellen in Bezug auf
die Richtung des Kühlmittelflusses auf dem Kühlkörper ab. Bild 5.3.4 soll diese Zusammenhänge
am Beispiel eines ausgewählten Aufbaus verdeutlichen. Die Lage am Ende des Kühlkörpers ist
besonders ungünstig, da eine stärkere Wärmespreizung in Richtung des Kühlmittelflusses erfolgt
als entgegen der Kühlrichtung.
Bild 5.3.4 Thermischer Kühlkörperwiderstand R th(s-a)
eines SKiiP-Aufbaus in Abhängigkeit von Luftdurchsatz
und Lage des SKiiP auf dem Kühlkörper
5.3.2.4 Messpunkte zur R th
-Bestimmung
Neben all den konstruktiven Einflüssen hängt der R th(s-a)
auch vom Messpunkt der Kühlkörpertemperatur
ab. Wie man z.B. in Bild 5.3.3 sieht, sind Temperaturdifferenzen von 30 K auf der Kühlkörperoberfläche
leicht möglich. Prinzipiell muss T s
an dem Punkt gemessen werden, zu dem auch
der Wert des R th(c-s)
bzw. R th(j-s)
der Halbleitermodule spezifiziert wurde, anderenfalls ist die Kette
von der Sperrschicht zur Umgebung unterbrochen. Leider sind die Bezugspunkte von (Halbleiter-)
Hersteller zu Hersteller verschieden (Bild 5.3.5) und auch für die unterschiedlichen SEMIKRON
Produktgruppen gibt es unterschiedliche Bezugspunkte. Die häufigst verwendeten Messpunkte
sind neben dem Modul auf Höhe der Chipposition oder unter dem Modul in einer Bohrung bis
2 mm unter die Oberfläche des Kühlkörpers.
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