Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module
beitspunkt zu den Schaltverlusten in der Anwendung ins Verhältnis gesetzt werden (Bild 5.2.20).
Dazu ist im Falle geänderter Ansteuerbedingungen die Kennlinie E sw
= f(R G
) aus dem Datenblatt
heranzuziehen.
K
=
E
E
on+off
on+off
(R
(R
g
)
g _ ref
)
E sw
Data sheet value at R g_ref
= 7 :
E on+off
= 33 mJ
E rr
= 8 mJ
Switching losses at R g
= 20 :
E on+off
= 57 mJ
E rr
= 5,5 mJ
Correction factor:
transistor KE sw _ IGBT = 1, 72
diode K = 0, 69
E sw _ D
Bild 5.2.20 Ermitteln des Korrekturfaktors für die Schaltverluste bei geänderten Ansteuerbedingungen
5.2.3.5 Thermische Einsatzbedingungen
Als letzter Parametersatz sind die Kühlbedingungen zu spezifizieren. Im einfachsten Fall kann die
Berechnung von Verlusten und Chiptemperatur mit konstanter Kühlkörpertemperatur erfolgen. Im
Nachhinein kann dann aus max. Umgebungstemperatur, vorgegebener Kühlkörpertemperatur und
berechneten Gesamtverlusten der benötigte thermische Widerstand des Kühlkörpers berechnet
werden
R
th(sa)
Ts
T
P
tot
a
In dem Fall, dass ein Kühlkörper bereits spezifiziert ist, ist die Umgebungstemperatur einzugeben.
Umgebungstemperatur ist hier im Sinne der Kühlmitteltemperatur (Wasser, Luft) zu verstehen.
Dies muss nicht zwangsläufig der Schaltschrankinnentemperatur entsprechen. Als Kühlkörpermodell
kann eine thermische Impedanz über t n
und R thn
mit bis zu 6 Elementen vom Nutzer selbst
definiert werden. Alternativ kann aus einer Auswahl von Semikron-Kühlkörpern für natürliche Konvektion,
forcierte Luftkühlung oder Wasserkühlung gewählt werden. Diese Kühlkörper sind den
Produktgruppen zugeordnet (Scheibenzellen, Bodenplattenmodule, SKiiP…), es erfolgt aber keine
Überprüfung ob Gehäuseabmessungen und Modulanzahl sinnvoll zu den Kühlkörperabmessungen
passen.
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