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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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5 Applikationshinweise für IGBT- und MOSFET-Module<br />

--<br />

dem Laststrom (über Durchlasskennlinie V F<br />

= f(I F<br />

)),<br />

--<br />

der Sperrschichttemperatur,<br />

--<br />

dem Tastverhältnis.<br />

Bei gegebenen Ansteuerparametern des mit der Diode kommutierenden IGBT und unter Vernachlässigung<br />

parasitärer Effekte (L S<br />

) sind die Ausschaltverluste (P rr<br />

) abhängig von:<br />

--<br />

dem Laststrom,<br />

--<br />

der Zwischenkreisspannung,<br />

--<br />

der Sperrschichttemperatur,<br />

--<br />

der Schaltfrequenz.<br />

Die Gesamtverluste ergeben sich zu:<br />

P<br />

tot(D)<br />

P<br />

cond(D)<br />

P<br />

rr<br />

Die Gesamtverluste eines Moduls P tot(M)<br />

ergeben sich dann durch Multiplikation der Einzelverluste<br />

mit der Anzahl der Schalter n im Modul<br />

P<br />

tot(M)<br />

n (Ptot(T)<br />

Ptot(D<br />

))<br />

5.2.1.1 Gleichspannungssteller<br />

Die Verluste für DC/DC-Wandler lassen sich unter stationären Bedingungen wegen des konstanten<br />

Tastverhältnisses relativ leicht berechnen. Werte für die Schaltverlustenergien bei Nennbedingungen/Referenzwerten<br />

sowie die Durchlassspannungsabfälle von IGBT und Diode sind in<br />

den Datenblättern angegeben. Diese müssen auf den Arbeitspunkt in der Schaltung umgerechnet<br />

werden. Die beiden Grundschaltungen Tief- und Hochsetzsteller sind Basiselemente vieler komplexerer<br />

Anwendungen.<br />

Tiefsetzsteller<br />

I IGBT<br />

Iout<br />

I<br />

I IGBT<br />

I D<br />

I D<br />

I out<br />

t t<br />

V out<br />

V<br />

on T<br />

Vin<br />

V in<br />

V out<br />

t on<br />

T<br />

t<br />

a) b)<br />

Bild 5.2.2 Tiefsetzsteller mit ohmsch-induktiver Last, a) Schaltung; b) Strom- und Spannungsverlauf<br />

Bild 5.2.2 zeigt die Schaltung eines Tiefsetzstellers (Chopper, step-down-converter) mit charakteristischen<br />

Verläufen bei ohmsch-induktiver Last. Eine hohe Eingangsspannung V in<br />

wird in eine<br />

niedrigere mittlere Ausgangsspannung V out<br />

umgewandelt. Für den eingeschwungenen Zustand<br />

der Schaltung lassen sich im Arbeitspunkt die Verluste des IGBT wie folgt berechnen:<br />

t<br />

1<br />

1<br />

Durchlassverluste: Pcond(T) iC(t)<br />

v<br />

CE(t)<br />

dt<br />

T<br />

<br />

0<br />

Bei Vernachlässigung der Laststromwelligkeit und Nachbildung der Durchlasskennlinie mit einer<br />

Ersatzgerade aus V CE0<br />

und r CE<br />

ergibt sich:<br />

P<br />

cond(T)<br />

(I<br />

out<br />

(V<br />

CE0(25C)<br />

TC (T<br />

25C))<br />

I<br />

V<br />

j<br />

2<br />

out<br />

(r<br />

CE(25C)<br />

Schaltverluste: P sw<br />

= f sw<br />

· (E on<br />

(V in<br />

, I out<br />

, T j<br />

) + E off<br />

(V in<br />

, I out<br />

, T j<br />

))<br />

TC (T<br />

25C)))<br />

DC<br />

r<br />

j<br />

(T)<br />

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